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文檔簡介
1、作為構(gòu)建納米器件的重要納米結(jié)構(gòu)--一維納米線,其結(jié)構(gòu)、性能決定了納米器件的可靠性、穩(wěn)定性,因而研究一維納米材料的結(jié)構(gòu)、成分以及性質(zhì)在外場(熱場、電場、力場等)條件下的響應(yīng)具有重要意義。本論文基于原位透射電子顯微技術(shù)研究了一維納米材料在電子束輻照、電場、力場作用下結(jié)構(gòu)與性能的演化過程。具體內(nèi)容包括:
(1)在透射電子顯微鏡(TEM)的電子束輻照下,研究了碳管包覆Sn納米棒在室溫和高溫下的動(dòng)態(tài)結(jié)構(gòu)變化。結(jié)果表明:1)室溫電子束輻照
2、作用下,金屬Sn表面原子獲得4.4eV的轉(zhuǎn)移能量,此能量高于Sn表面原子的位移能3.04eV,因此表面擴(kuò)散效應(yīng)明顯,金屬發(fā)生遷移。若碳管為封閉型,則在某些未被金屬完全填充的碳管內(nèi)可實(shí)現(xiàn)金屬在晶態(tài)下的完全填充;若碳管為未封閉型,則在開口端形成Sn-CNT杵狀結(jié)構(gòu);2)加熱至高溫(270℃)時(shí),電子束輻照與熱場共同作用下碳管收縮,熔態(tài)金屬Sn受擠壓后發(fā)生遷移,并在碳管開口端處形成Sn-CNT杵狀結(jié)構(gòu)。
(2)研究了碳管包覆Fe-C
3、o合金在電遷移力作用下的質(zhì)量遷移過程并利用基于電流、電子束輻照、預(yù)加勢壘的方式實(shí)現(xiàn)簡單調(diào)控。結(jié)果表明:1)發(fā)生質(zhì)量遷移的臨界電流主要集中在100μA附近且與碳管的直徑呈近似拋物線關(guān)系,臨界電流密度約為1.59×107A/cm2;2)通過聚焦電子束可修裁碳納米管,使包覆金屬在電遷移力下在該處富集并構(gòu)建金屬-碳異質(zhì)結(jié),該異質(zhì)結(jié)具有良好的導(dǎo)電性;3)通過電子束輻照和焦耳熱作用,可實(shí)現(xiàn)人為施加0.1eV范圍內(nèi)的勢壘。
(3)通過原位力
4、加載,初步研究了一維無機(jī)WS2納米管的力學(xué)行為。結(jié)果表明:1)在軸向擠壓實(shí)驗(yàn)中,得益于WS2納米管較大的層間距及S-W-S的三明治結(jié)構(gòu),1-2次小角度(~30°)擠壓作用不會(huì)破壞WS2納米管層內(nèi)W原子與S原子共價(jià)鍵,而層間的范德華力隨著壓力的撤消可以恢復(fù),因而WS2納米管表現(xiàn)出良好的韌性;若直接施以一次大角度(~90°)擠壓或多次小角度擠壓,WS2納米管最大變形處的最外層原子共價(jià)鍵和層間的范德華力則無法完全恢復(fù),最大變形處的最外層管壁局
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