熱蒸發(fā)法制備ZnO一維納米材料及其表征.pdf

1、由于半導(dǎo)體氧化物在光學(xué)、光電、催化、壓電等領(lǐng)域獨(dú)特而新穎的應(yīng)用，半導(dǎo)體氧化物的合成和應(yīng)用引起了人們的極大關(guān)注。2001年王中林教授發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體氧化物納米帶以后，基于氧化物的一維納米材料成了納米材料新的研究熱點(diǎn)。ZnO是近年來受到廣泛關(guān)注的Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體材料，它的一維納米結(jié)構(gòu)由于具有廣泛的應(yīng)用前景而引起研究者的極大興趣。 本文在綜述目前ZnO一維納米材料的制備方法的基礎(chǔ)上，采用熱蒸發(fā)法成功制備出多種ZnO的一維納米結(jié)構(gòu)，討論了其形成

2、機(jī)理，并研究了其發(fā)光性能。取得的主要結(jié)果如下： (1)用合成的納米ZnO和石墨作為反應(yīng)物，在1100℃下成功合成了ZnO納米絲，梳子狀納米ZnO，枝狀ZnO納米絲，局部定向ZnO納米絲和其它一些特殊的ZnO結(jié)構(gòu)。 (2)用濺射法制備ZnO前驅(qū)體薄膜的硅片作襯底，在與(1)相似的條件下，成功的制備了兩種不同形貌的陣列化納米絲。這說明了襯底在合成陣列化ZnO納米結(jié)構(gòu)中的重要性。通過研究氣體流量、溫度和反應(yīng)物對(duì)制備陣列化納米絲