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文檔簡介
1、SnO<,2>是一種典型的半導(dǎo)體型金屬氧化物,其禁帶寬度為3.6eV(300K)。由于SnO<,2>一維納米材料具有特殊的物理性質(zhì),以及在光電子裝置、氣敏傳感器、透明電極、太陽能電池等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景,使得其倍受關(guān)注。改進(jìn)一維納米材料的制備方法以獲得離散性好、具有特定微結(jié)構(gòu)的SnO<,2>一維納米結(jié)構(gòu)體系正成為當(dāng)前的研究熱點(diǎn)。 本文運(yùn)用化學(xué)氣相沉積法通過控制反應(yīng)物配比及載氣中的氧含量等宏觀實(shí)驗(yàn)條件,實(shí)現(xiàn)了SnO<,2>一維
2、納米結(jié)構(gòu)的控制生長,成功獲得SnO<,2>各種不同橫向尺度的納米線、納米帶以及針狀納米結(jié)構(gòu)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示:SnO<,2>一維納米結(jié)構(gòu)生長過程中所遵循的生長機(jī)理可能與生長點(diǎn)附近錫與氧的相對(duì)含量有密切關(guān)系,調(diào)節(jié)高溫生長點(diǎn)附近錫與氧的相對(duì)含量可以較精確地控制SnO<,2>一維納米結(jié)構(gòu)的生長。 通過改變生長區(qū)內(nèi)氣壓和襯底位置,成功得到大多數(shù)垂直襯底生長的SnO<,2>微納米叢簇和樹刺狀、試管刷狀等SnO<,2>自組裝微納米結(jié)構(gòu),并淺略地
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