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文檔簡介
1、具有金紅石型結(jié)構(gòu)的SnO2是一種寬帶隙n型半導(dǎo)體材料,其室溫禁帶寬度為3.6 eV(300K)。由于其獨(dú)特的光電性質(zhì)及穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì),已被廣泛的應(yīng)用在光電器件以及還原性氣體檢漏的氣敏元件等領(lǐng)域。一維的SnO2納米結(jié)構(gòu)由于具有大的比表面積和量子尺寸效應(yīng),在氣敏傳感器、太陽能電池、透明導(dǎo)電電極、催化劑載體等方面有著潛在的應(yīng)用。本文通過熱蒸發(fā)SnO2粉末方法制備SnO2納米帶,然后采用浸泡的方法合成Ag/SnO2納米帶的復(fù)合結(jié)構(gòu)。同時(shí)結(jié)合電場
2、組裝的方法和表面光電壓技術(shù)分別對SnO2納米帶復(fù)合前后的光電特性進(jìn)行了研究。 在第二章我們采用熱蒸發(fā)的方法制備出了SnO2納米帶,通過SEM、TEM、SAED和XRD對樣品進(jìn)行表征,并對樣品的熒光特性進(jìn)行了分析。 第三章我們將納米帶超聲分散在無水乙醇溶液中,運(yùn)用電場組裝的方法將單根SnO2納米帶搭接在Au電極上,然后我們對組裝成功的SnO2納米帶的光電性質(zhì)進(jìn)行了測量和分析,發(fā)現(xiàn)SnO2納米帶的L-V特性曲線在暗態(tài)下表現(xiàn)為
3、非對稱的非線性特性,加光后電流有明顯的增大。對非對稱非線性I-V特性進(jìn)行分析,認(rèn)為非線性的I-V曲線是SnO2納米帶與Au電極之間形成了兩個(gè)背靠背的肖特基勢壘,通過具體的計(jì)算和光照實(shí)驗(yàn)證明了在電場組裝過程中表面態(tài)所引起的勢壘高度差的不同導(dǎo)致電學(xué)性質(zhì)的非對稱。 第四章把制備好的SnO2納米帶浸泡在Ag膠體溶液里,采用簡單的浸泡法合成Ag/SnO2納米帶的復(fù)合結(jié)構(gòu),然后利用電場組裝的方法將單根的Ag/SnO2納米帶搭接在Pt電極上,
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