GaAs基MMIC功率放大器的研制.pdf

1、微電子技術的發(fā)展水平和規(guī)模是衡量一個國家技術實力的重要標志。隨著世界科學技術的發(fā)展，半導體技術一直的不斷發(fā)展，有著高頻特性、功率特性和低噪聲特性等優(yōu)點的微波單片集成電路（MMIC）因而得到廣泛應用。微波單片集成電路是微波和毫米波通信、測繪等系統(tǒng)的核心元件。微波功率放大器在衛(wèi)星通信、雷達、電子對抗等領域有著廣泛的應用，MMIC微波功放的設計技術屬于電子對抗的前沿技術之一。
　　在現(xiàn)代無線通訊系統(tǒng)中，功率放大器起著非常重要的作用。新一

2、代商用和軍用通信系統(tǒng)都需要功率放大器。新興的商業(yè)無線應用顯著的提升了對功率放大器的研發(fā)。功率放大器在雷達和通信系統(tǒng)中是最重要的組成部分之一，砷化銦鎵、砷化鎵晶體管（pHEMT）具有高功率密度、高增益，這對于要求高效率，高功率，寬帶操作，以及小尺寸如活性相雷達，未來的蜂窩，本地多點分配業(yè)務應用的優(yōu)勢（LMDS）和衛(wèi)星通信來說是非常理想的應用材料。單片微波集成電路（MMIC），用于功率放大器與多級結(jié)構(gòu)的放大器制造可以進一步減小芯片尺寸，并增

3、加了小信號增益，以減少制造成本。
　　本論文題目是“GaAs基MMIC功率放大器的研制”，主要設計的是9.5-13.3GHz GaAs基MMIC功率放大器芯片。具體研究內(nèi)容摘要如下：
　　1.簡單介紹了MMIC的發(fā)展背景、國內(nèi)與國外的研究發(fā)展，功率放大器的性能參數(shù)與技術指標。
　　2.通過對砷化鎵贗配高電子遷移率晶體管器件的工作原理的分析，同時介紹了其簡單的工藝流程，并對其小信號狀態(tài)下的等效電路模型中的各項參數(shù)的提取辦