Ka波段GaAs PHEMT單片功率放大器的設(shè)計.pdf

1、單片微波集成電路(MMIC)具有電路損耗小、輸出功率大、工作頻帶寬、噪聲小系數(shù)、動態(tài)范圍大等優(yōu)點(diǎn)。與傳統(tǒng)的混合微波集成電路相比又具有一致性強(qiáng)、可靠性高、芯片體積小等優(yōu)勢,在軍事和民用領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用。本文討論的Ka波段單片功率放大器采用單片微波集成電路的方式實現(xiàn),是構(gòu)成有源相控陣?yán)走_(dá)發(fā)射/接收組件的重要組成部分。
　　論文首先完成了Ka波段單片功率放大器國內(nèi)外研究情況的調(diào)研,針對包括MMIC有源器件和無源器件、MMIC工藝流程

2、以及MMICCAD設(shè)計流程等MMIC相關(guān)理論和工藝展開了分析,同時對功率放大器設(shè)計理論進(jìn)行了回顧。接著探討了設(shè)計過程中器件柵寬柵指數(shù)的選擇、晶體管的熱分析、偏置電路以及匹配電路形式的選擇等,完成了單級電路的設(shè)計。根據(jù)單級電路的性能,采用四級級聯(lián)、一次功率合成的方式設(shè)計了Ka波段單片功率放大器。根據(jù)具體的系統(tǒng)指標(biāo)結(jié)合工藝線的特點(diǎn)確定了整體電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。利用微波仿真軟件ADS完成了整體電路原理圖仿真,根據(jù)元器件以及走線規(guī)則的版圖調(diào)整規(guī)律進(jìn)