自適應(yīng)傳輸優(yōu)化的3D眾核NoC架構(gòu)設(shè)計.pdf

1、受IC性能要求不斷提高的需求驅(qū)動，半導(dǎo)體技術(shù)飛速發(fā)展，電子系統(tǒng)進(jìn)一步小型化，性能不斷提高，越來越需要使用三維集成方案來提高集成度，硅通孔（TSV）是三維集成電路中堆疊芯片實現(xiàn)互連的一種新技術(shù)解決方案。TSV是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通，實現(xiàn)芯片之間互連的最新技術(shù)。
　　本文通過研究3D NOC的基本原理及其常見架構(gòu)，比較了現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的優(yōu)缺點，并在此基礎(chǔ)上進(jìn)行設(shè)計。簡要介紹了TSV的發(fā)展和使用情況，提出了TSV目

2、前所面臨的實際應(yīng)用難題。論述了總線通信方式并詳細(xì)介紹了主流總線仲裁方式，選取確定了3D NOC系統(tǒng)中所采用的總線。列舉了片上壓縮所采用的主要方法，通過大量實際程序進(jìn)行測試，確定了合適的壓縮參數(shù)。使用SystemC對系統(tǒng)進(jìn)行建模和測試，并說明了實現(xiàn)方式及特點。
　　針對3D NOC架構(gòu)中硅通孔（TSV）數(shù)量過多會占用過多面積及成品率下降嚴(yán)重的問題，提出了一種3D NOC TSV通孔數(shù)壓縮方案。通過對需要傳輸?shù)臄?shù)據(jù)進(jìn)行壓縮，減小數(shù)據(jù)寬