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文檔簡(jiǎn)介
1、隨著信息產(chǎn)業(yè)和互聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展,數(shù)據(jù)需求量越來(lái)越大。硬盤(pán)作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)行業(yè)中最重要的部分已經(jīng)不可替代,提高磁記錄存儲(chǔ)密度成為適應(yīng)信息產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展的途徑之一。目前,商業(yè)化磁記錄技術(shù)已經(jīng)從水平磁記錄順利過(guò)渡到了垂直磁記錄,存儲(chǔ)密度超越了150 Gbit/in2,實(shí)驗(yàn)室范圍內(nèi)已經(jīng)達(dá)到了614.4Gbit/in2。雖然離垂直磁記錄的極限密度1-1.5 Tbit/in2已經(jīng)近在咫尺,但記錄密度的進(jìn)一步提高仍然依賴(lài)于新的介質(zhì)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和新的記錄技術(shù)
2、的共同進(jìn)步。制約垂直磁記錄密度提高的主要因素是超順磁效應(yīng),為了克服晶粒減小所帶來(lái)的熱擾動(dòng)性的影響,需要尋找高磁晶各向異性的材料作為記錄介質(zhì)。尋找新的記錄介質(zhì)、改善已有記錄介質(zhì)的性能成為本文所研究的主要目的。
下面是本論文研究的主要內(nèi)容:
1、高磁晶各向異性MnAl薄膜的研究:鐵磁性τ-MnAl具有較高的磁晶各向異性常數(shù)(KU=1.7×107 erg/cm3),是理想的磁記錄介質(zhì)之一。本文研究主要是通過(guò)兩個(gè)方面改善樣品
3、的磁性能。首先,利用制備楔形膜的方式來(lái)精確控制τ-MnAl產(chǎn)生的元素配比,并且通過(guò)觀測(cè)其△M曲線研究MnAl顆粒間的相互作用方式和磁性翻轉(zhuǎn)模式。其次,通過(guò)制備緩沖層引導(dǎo)后續(xù)薄膜生長(zhǎng),在得到較好τ-MnAl緩沖層的條件下,制備出了具有較好磁性能的τ-MnAl樣品。
2、FePt基交換耦合結(jié)構(gòu)和梯度型結(jié)構(gòu)介質(zhì)研究:雖然FePt具有很高磁晶各向異性,但其矯頑力較大,使記錄信息很難寫(xiě)入。在保持熱穩(wěn)定性的條件下有效降低寫(xiě)入場(chǎng)是我們研究的
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