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文檔簡介
1、采用Langmuir-Blodgett(LB)技術在新解理的云母和氧化銦錫(ITO)基片上成功制備出富勒烯金屬包合物Gd@C82及其衍生物的單層及多層Langmuir-Blodgett分子薄膜。研究獲得了制備這種LB薄膜的最佳工藝條件為:以ITO或者新解理云母為基片,硬脂酸(SA)和Gd@C82的摩爾比為4:1,向上垂直提拉速度為3mm/min,鍍膜過程中的亞相表面壓控制為25 mN/m,亞相中加入5μmol/l的MnCl2電解質(zhì),此時
2、LB薄膜能更好地轉(zhuǎn)移到基片表面,其鍍膜轉(zhuǎn)移比接近1,薄膜質(zhì)量較高。采用原子力顯微鏡(AFM)和X射線光電子能譜(XPS)對所制備的納米分子薄膜表面形貌以及元素組成進行了系統(tǒng)研究。AFM結果表明,與純的Gd@C82 LB薄膜相比,輔助成膜材料SA的加入,避免了Gd@C82分子之間的相互團聚,使得Gd@C82/SA復合LB薄膜表現(xiàn)出更好的均一性和理想的層狀結構。XPS譜中明顯可以觀察到氧元素、碳元素和釓元素所對應的峰,證明了薄膜中Gd@C8
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