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文檔簡介
1、氧化鋅是一種重要的Ⅱ-Ⅵ族直接帶隙半導體材料,禁帶寬度大(3.37eV),激子結(jié)合能高(60 meV)。納米ZnO兼有半導體材料和納米材料兩方面的優(yōu)異特性,相比于同質(zhì)塊體材料,在光電、壓電、熱電等方面顯示出獨特性能。近年來納米氧化鋅在催化和光催化領(lǐng)域的研究和應(yīng)用一直是國際熱點。
研究表明納米氧化鋅的催化性能與其微觀形貌密切相關(guān),有關(guān)納米氧化鋅形貌的研究越來越多。納米ZnO是具有六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)的極性晶體,沿C軸具有較強的極性,C
2、軸擇優(yōu)取向生長的本質(zhì)使其容易生成長徑比高的棒狀納米氧化鋅。然而,通過改變外部反應(yīng)條件,可以抑制或者促進特定晶面的生長速度,從而改變晶體各晶面的相對生長速度,最終得到形貌不同的氧化鋅。因此探討外部反應(yīng)條件對氧化鋅形貌的影響是很多學者研究的問題。
本文采用水熱/溶劑熱法、液體石蠟高壓(常壓)熱處理法和溶劑熱-反相微乳液法這三種方法制備了納米氧化鋅,實驗中采用XRD、SEM、TEM、FTIR和TG-DSC等現(xiàn)代分析手段研究了ZnO納
3、米晶的物相組成和形貌特點,探討了制備方法及其制備條件對氧化鋅形貌的影響,主要實驗結(jié)果如下:
在水熱溶劑熱方法中,采用二乙醇胺或者六亞甲基四胺有機胺輔助法,合成了微米球狀、納米多維度粒狀、納米棒狀等一系列形貌不同的納微米級ZnO晶體,系統(tǒng)地考察了反應(yīng)溫度、沉淀劑種類、反應(yīng)溶劑、鋅源、反應(yīng)時間和沉淀劑濃度對納米ZnO形貌的影響。結(jié)果發(fā)現(xiàn)反應(yīng)溫度越高,越容易生成多維度晶粒;反應(yīng)溶劑極性越大,得到的納米ZnO的顆粒的長徑比越小;鋅源不
4、同,制備的氧化鋅晶體差異很大。
在液體石蠟高壓(常壓)熱處理法中,以液體石蠟為反應(yīng)介質(zhì),Span80為表面活性劑,將醋酸鋅(硝酸鋅)—二乙醇胺—異丙醇預處理混合液分散其中,分別采用常壓熱處理和高壓熱處理的手段,不經(jīng)過煅燒步驟直接制備氧化鋅。結(jié)果表明液體石蠟熱處理環(huán)境改變了氧化鋅晶體的生長團聚過程,但是仍然遵循晶體C軸擇優(yōu)取向生長的生長習性。
在溶劑熱-反相微乳液法中,以液體石蠟為油相,鋅鹽—二乙醇胺—異丙醇預處理混合
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