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文檔簡介
1、氧化鋅是一種寬禁帶直接帶隙氧化物半導體材料，具有優(yōu)異的光電、光催化等性能，但其僅對紫外光區(qū)域有吸收。硫化鎘對可見光有優(yōu)良的吸收性能，硫化鎘納米粒子可能適于敏化氧化鋅拓展其對光的吸收范圍。
本文通過電沉積的方法在ITO導電玻璃上制備了豎直生長的六棱柱陣列、中空的管狀陣列、豎直生長的片層和納米顆粒的氧化鋅。其中豎直生長的六棱柱陣列結(jié)構(gòu)的氧化鋅顯示出沿(002)晶面的擇優(yōu)取向和對可見光良好的透過性。對于氧化鋅的六棱柱陣列結(jié)構(gòu)，可
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