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文檔簡介
1、ZnO是一種新型的Ⅱ-Ⅵ族直接帶隙寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料,在室溫下具有較大的激子束縛能(60 meV),能夠在室溫下紫外激光發(fā)射.在大氣中不容易被氧化,具有高的熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性,它被廣泛應(yīng)用于表面聲波器件、氣體傳感器、太陽能電池電極和光發(fā)射器件等方面. 本論文中,我們采用三種不同的制備工藝在Si(100)襯底上制備了ZnO薄膜,第一種是離子束濺射沉積Zn膜結(jié)合熱氧化的方法;第二種是射頻反應(yīng)磁控濺射法;第三種是脈沖激光沉積(P
2、LD)法.并用x射線衍射(XRD)、原子力顯微鏡(AFM)分別對樣品的結(jié)構(gòu)、形貌進行了表征,并對ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)進行了應(yīng)力分析.結(jié)果表明,射頻反應(yīng)磁控濺射法和脈沖激光沉積法制備的ZnO薄膜結(jié)晶程度較好,c軸取向較為明顯.射頻反應(yīng)磁控濺射法制備的ZnO薄膜的粗糙度和晶粒尺寸較離子束濺射結(jié)合熱氧化法和PLD法制備的ZnO薄膜要小.用離子束濺射結(jié)合熱氧化法制備的ZnO薄膜中存在著壓應(yīng)力,而用射頻反應(yīng)磁控濺射法和PLD法制備的ZnO薄膜中存在著
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