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1、TP4D材料是一種超低功耗、高飽和磁通密度的最新代功率鐵氧體材料。為研制該材料,由浙江天通電子股份有限公司(TDG)與上海大學(xué)理學(xué)院組成的課題組進(jìn)行了大量的配方實(shí)驗(yàn)和材料制造工藝實(shí)驗(yàn)。在此基礎(chǔ)上總結(jié)提出了復(fù)合離子二次摻雜技術(shù)和高密度二次保溫?zé)Y(jié)技術(shù)。所謂“復(fù)合離子”即采用高價(jià)(4價(jià),如SnO2)和低價(jià)(2價(jià),如CaCO3)兩種離子同時(shí)摻雜。本課題組經(jīng)過大量實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),由CaCO3-Nb2O5-Ta2O5組成的復(fù)合離子效果最好,在100kH
2、z,200mT的使用條件下,功率損耗可低至250mw/cm3(100℃),比傳統(tǒng)的CaO-SiO2摻雜在相同測(cè)試條件下的實(shí)驗(yàn)結(jié)果340mw/cm3還要低?!岸螕诫s技術(shù)”即在二次球磨時(shí)再加入適量復(fù)合微量元素?!岸伪?zé)Y(jié)技術(shù)”是指在傳統(tǒng)燒結(jié)曲線的降溫過程中,設(shè)計(jì)一個(gè)升溫、保溫、繼續(xù)降溫過程,采用該技術(shù)有利于在一定的溫度點(diǎn)使氧化還原反應(yīng)充分完成。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,新技術(shù)對(duì)降低材料的功率損耗十分有效。 本文第一章為序論,介紹課題情況,
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