MEMS中高阻硅基底微小結(jié)構(gòu)制造誤差的反演規(guī)律研究.pdf

1、微小結(jié)構(gòu)加工技術(shù)制造的微帶貼片天線,具有剖面低、體積小、重量輕、高度集成、并且能與載體共形。其作為對彈藥的智能化改造的通信節(jié)點,可提高彈藥打擊目標的精確度,基于高阻硅基底的微小結(jié)構(gòu)貼片天線損耗小,容易組陣,很大程度提高了天線的功率、增益等。目前,微小結(jié)構(gòu)內(nèi)部尺寸的測量還屬于瓶頸技術(shù)。為解決微小結(jié)構(gòu)天線尺寸測量難的問題,本文探索了基于高阻硅基底C/X/Ku波段微小結(jié)構(gòu)陣列式微帶貼片天線的結(jié)構(gòu)尺寸與電性能之間的反演規(guī)律,主要工作如下:

2、>　　1.C/X/Ku波段天線的基本設計與仿真。本課題主要以三個不同波段的微帶天線作為研究對象,在進行反演規(guī)律分析前先要通過設計仿真,將三個不同波段天線的電性能調(diào)整到最優(yōu)點。
　　2.C/X/Ku波段天線結(jié)構(gòu)尺寸誤差與電性能之間反演規(guī)律的研究。在天線加工制造過程中,不可避免的產(chǎn)生加工尺寸誤差,這些誤差會影響到天線的電性能如:輻射增益、電壓駐波比、回波損耗系數(shù)、輻射效率等。采用仿真軟件,模擬不同波段天線的電性能和幾何尺寸變化之間的對

3、應關(guān)系。
　　3.確定天線關(guān)鍵制造誤差尺寸和誤差允許的最大值。通過電性能和天線幾何尺寸之間的關(guān)系,找出導致天線電性能變化最敏感甚至失效的關(guān)鍵制造誤差尺寸和關(guān)鍵誤差尺寸允許誤差的大小,建立關(guān)鍵誤差尺寸和天線電性能之間的函數(shù)關(guān)系式。并且將關(guān)鍵誤差尺寸的值在加工過程中提供誤差參考數(shù)據(jù)。
　　4.MEMS加工工藝的研究。參照反演規(guī)律結(jié)論,深入研究了MEMS中的刻蝕工藝、濺射與電鍍復合工藝、高阻硅切割工藝、微小結(jié)構(gòu)的封裝工藝,突破了工