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文檔簡介
1、本文針對物理氣相輸運方法（PVT）制備SiC單晶以及機(jī)械合金化結(jié)合等離子體燒結(jié)（MA-PAS）的方法制備摻入S元素的Bi2Te3-基熱電材料這兩個比較典型的大塊狀半導(dǎo)體材料的制備過程分別進(jìn)行了數(shù)值模擬與實驗研究。
作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，SiC由于其優(yōu)良的理化性質(zhì)而被廣泛運用在高溫度、強(qiáng)輻射、高電壓、高電流密度的極端條件下的半導(dǎo)體器件中。PVT法是生產(chǎn)大塊狀 SiC單晶最常用的一種方法，因為在 PVT生長 SiC單晶的
2、過程中，裝置是完全封閉的，我們很難實時的檢測生長腔內(nèi)的溫度，物質(zhì)濃度等相關(guān)物理量的變化，所以有必要運用數(shù)值模擬的方法來對該過程預(yù)先做出數(shù)值模擬研究以指導(dǎo)實際的生產(chǎn)過程。通過研究我們發(fā)現(xiàn)生長腔內(nèi)軸向上的溫度梯度、操作壓力、籽晶表面溫度等工藝參數(shù)對于晶體生長速率具有重要的影響，具體說來，隨著生長腔內(nèi)溫度梯度的增加，壓力的降低或者是生長溫度的升高，SiC的晶體生長速度加快。
Bi2Te3系熱電材料因其在室溫下良好的熱電性能而被廣泛運
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