寬禁帶半導(dǎo)體薄膜材料的制備與研究.pdf

1、寬禁帶半導(dǎo)體材料一般具有高的擊穿電場(chǎng)、高的熱導(dǎo)率、高的電子遷移率及更高的抗輻射能力，在壓電、光電器件、液晶顯示器、太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。本文對(duì)寬帶隙半導(dǎo)體材料ZnO：Al（AZO）、氮化硅和CNT陰極薄膜的制備、結(jié)構(gòu)特征及物理性能進(jìn)行了系統(tǒng)的研究。主要研究如下：
　　 （1）以鋅鋁的化合物（Zn（CH3COOH）2·2H2O和Al（NO3）3·9H2O）為前驅(qū)物，在載玻片襯底上制備了AZO薄膜，采用溶膠-凝膠法在玻璃襯底

2、上沉積了Al3+摻雜型ZnO薄膜。定量研究了摻雜量、溶液濃度、熱處理溫度對(duì)薄膜性能的影響，并對(duì)薄膜的電學(xué)特性和光學(xué)性能等進(jìn)行了表征。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：溶液濃度為8％，摻雜比為3％，熱處理溫度為450℃，熱處理時(shí)間為：升溫5分鐘、保溫15分鐘，旋涂時(shí)低轉(zhuǎn)速為1080r/min、時(shí)間為6s，高轉(zhuǎn)速為4560r/min、時(shí)間為20s時(shí)，能獲得電學(xué)性能和光學(xué)性能最佳的薄膜，其方阻值為：114KΩ/口，平均透過(guò)率為90％。
　　 （2）采用等

3、離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）系統(tǒng)，以硅烷和氨氣為氣源，在不同射頻（RF）功率、不同襯底溫度和不同硅烷氨氣流量比下制備了氮化硅薄膜。實(shí)驗(yàn)表明，當(dāng)射頻功率增大時(shí)，生成的氮化硅薄膜結(jié)構(gòu)致密，鈍化性能提高。射頻功率與氮化硅薄膜折射率成正比，與腐蝕速率成反比。襯底溫度對(duì)薄膜的腐蝕速率影響顯著，最佳的襯底溫度為250℃。硅烷氨氣流量比對(duì)沉積速率影響不大，但在很大程度上決定了氮化硅薄膜的折射率。
　　 （3）采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)，以碳納米