版權說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內容提供方,若內容存在侵權,請進行舉報或認領
文檔簡介
1、1物理所寬禁帶半導體材料研究與應用團隊主要先進事跡物理所寬禁帶半導體材料研究與應用團隊主要先進事跡多年來,該團隊在SiC、GaAs、GaN等晶體和外延材料領域取得了豐碩成果。系統(tǒng)開展了SiC晶體生長設備、晶體生長和加工技術研究,成功生長出24英寸高質量晶體,在國內率先實現(xiàn)SiC晶體的產業(yè)化,成功打破了國外壟斷。采用濕法腐蝕和寬窄阱耦合技術生長出低位錯密度外延材料,部分消除極化效應,大幅提升LED內量子效率。先后承擔國家“973”、“86
2、3”、科技支撐和02專項等項目數(shù)十項;發(fā)表SCI論文300余篇,申請國家發(fā)明專利50余項(已授權20余項);將多項科研成果產業(yè)化,實現(xiàn)了良好社會經濟效益。國家天文臺郭守敬望遠鏡國家天文臺郭守敬望遠鏡(LAMOST)團隊主要先進事跡團隊主要先進事跡該團隊在建設國家重大科學工程LAMOST的十多年中,全體人員勇于創(chuàng)新、鍥而不舍、團結協(xié)作、精益求精,全面優(yōu)質地完成了工程建設任務。建成了目前國際上光譜獲取率最高、口徑最大的大視場望遠鏡,得到了國
3、際天文界的高度評價,使我國大視場多目標光纖光譜的觀測設備處于國際領先地位,并使我國望遠鏡研制技術實現(xiàn)了跨越式發(fā)展,顯著提升了我國在該領域的自主創(chuàng)新能力。2009年6月LAMOST項目圓滿地通過了國家竣工驗收。LAMOST項目的關鍵技術之一“大口徑主動光學實驗望遠鏡裝置”獲得2006年度國家科學技術進步二等獎。聲學所聲學智能制導實驗室主要先進事跡聲學所聲學智能制導實驗室主要先進事跡從事水聲學、信息與信號處理研究已有40余年。實驗室自200
4、0年開始承擔了國家某重大科研項目的研制,該項目是我院3深入災區(qū),積極開展心理援助服務。開展20余場團體培訓,培植本土心理援助力量5200余人次;為215戶受災群眾和112戶傷殘人員提供面對面心理輔導,重點救助住院傷病員700余名和異地復學兒童500余名,極大緩解了震后創(chuàng)傷及異地復學不適的心理問題;協(xié)助當?shù)卣贫ㄐ睦碓暌?guī)劃,為持續(xù)規(guī)范開展援助奠定基礎。發(fā)揮科學思想庫作用,向黨和國家上報6份災后心理援助和社會穩(wěn)定有關的政策建議,2份
5、被中辦采用。發(fā)揮了心理學國家隊的引領作用,受到青海省政府和社會的好評和高度認可。電子所航天微波遙感系統(tǒng)部主要先進事跡電子所航天微波遙感系統(tǒng)部主要先進事跡出色完成了多項國家重點型號工程任務,在我國航天星載微波遙感對地觀測載荷研制領域確立了主導和引領地位,切實發(fā)揮了“火車頭”的作用。成功研制出我國多型首套航空機載合成孔徑雷達系統(tǒng)裝備,在汶川抗震救災飛行中發(fā)揮了重要作用,2008年被授予“創(chuàng)新為民、科技救災”光榮稱號??蒲谐晒@得多項國家和院
6、(部)級獎勵:包括國家科技進步一等獎兩項,中國科學院杰出成就獎一項,國防科技進步特等獎一項、一等獎兩項、二等獎、三等獎各一項,發(fā)表論文數(shù)百篇。大連化物所甲醇制烯烴國家工程實驗室主要先進事跡大連化物所甲醇制烯烴國家工程實驗室主要先進事跡完成新一代甲醇制烯烴(DMTOII)技術工業(yè)性試驗并通過鑒定。實現(xiàn)世界首套甲醇制烯烴(DMTO)工業(yè)裝置開車成功并取得突破性進展。完成“渣油制烯烴催化劑研制”、中國科學院“天然氣、油田氣綜合利用”等重大項目
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
- 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內容負責。
- 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 寬禁帶半導體材料與工藝
- 寬禁帶半導體材料與工藝
- 寬禁帶半導體薄膜材料的制備與研究.pdf
- 39438.寬禁帶半導體材料的電子結構與性質研究
- 寬禁帶功率半導體器件損耗研究.pdf
- 寬禁帶納米半導體材料制備及其光學性能研究.pdf
- 紫外光敏寬禁帶半導體材料的設計與制備.pdf
- 極性寬禁帶半導體微結構與新效應研究.pdf
- 寬禁帶半導體薄膜制備及其發(fā)光性能研究.pdf
- 寬禁帶半導體碳化硅器件的研究.pdf
- 寬禁帶半導體材料修飾碳納米管場發(fā)射研究.pdf
- 寬禁帶半導體材料ZnO、TiO2的制備及特性研究.pdf
- 寬禁帶半導體納米結構制備及其場發(fā)射應用研究.pdf
- 寬禁帶半導體器件的研制及其測量技術.pdf
- ZnO基寬禁帶稀磁半導體材料的制備及性能研究.pdf
- 寬禁帶半導體器件的開關過程建模與分析.pdf
- 寬禁帶半導體ZnO、GaN及其相關材料的微結構調控與性能研究.pdf
- 寬禁帶半導體MSM結構紫外探測器的研究.pdf
- 寬禁帶半導體SiC、ZnO紫外光電器件的研究.pdf
- 寬禁帶半導體氧化物的高溫介電性能研究.pdf
評論
0/150
提交評論