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文檔簡介
1、集成電路中的芯片數(shù)量按照摩爾定律預(yù)測的速度飛速發(fā)展,在集成電路的設(shè)計中需要尋求新的互連技術(shù),三維集成電路TSV(硅通孔)技術(shù)引起了廣泛關(guān)注。三維集成電路提出了一種全新的提高IC集成度的方法,而TSV(硅通孔)技術(shù)作為一種全新的互連技術(shù),在三維集成電路中有著非常重要的作用?;ミB線功耗作為互連設(shè)計中不能忽略的一項,非常關(guān)鍵。TSV工藝對其功耗的影響,成為TSV研究必不可少的一項。
本文目的是為了研究單個TSV和兩個TSV工藝對其功
2、耗的影響。在研究單個TSV功耗之前,本文首先對其功耗模型進行了建立,確定其等效電路,對等效電路中的元件進行計算,研究工藝對其等效電路中元件的影響,進而通過功耗計算公式,就可得出工藝對其功耗的影響。
對于兩個 TSV,首先研究了其三個等效模型,即П模型、T模型和傳輸線模型,本論文主要根據(jù)傳輸線模型來分析工藝對功耗的影響。用軟件HFSS作為輔助,可以求得傳輸線模型中元件的參數(shù)值,最后對其功耗進行了分析。最終可以獲得TSV工藝的改變
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