鎂合金表面制備含羥基磷灰石活性復合陶瓷膜層及其性能研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁,還剩78頁未讀 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內容提供方,若內容存在侵權,請進行舉報或認領

文檔簡介

1、鎂合金作為生物醫(yī)用材料,因其密度小、比強度高以及生物相容性好等特點而受到廣泛關注,但鎂合金的腐蝕速度過快制約了材料的臨床應用。進一步提高醫(yī)用鎂合金的耐蝕性能,增強鎂合金的使用安全性和生物相容性,成為近年來的研究熱點。本文采用微弧氧化的方法在AZ31B鎂合金表面制備了含氟離子(F-)及羥基磷灰石(HA)的復合陶瓷膜層,研究了復合電解液中添加不同質量分數(shù)的HA顆粒和NH4F添加劑對復合陶瓷膜層的成膜質量及其性能的影響。
   結果表

2、明:當復合電解液中主要成膜劑Na2SiO3和Na3PO4濃度比為10∶3時,可以制備出典型的多孔結構的陶瓷膜層,其主要成分為MgO、MgSiO3和少量的Mg3(PO4)2,膜層的耐腐蝕性較鎂合金基體明顯提高。當電解液中添加濃度為0.4g/L的HA顆粒時,復合膜層在Hank's模擬體液中的腐蝕電位為-1.215V,腐蝕電流密度為6.138×10-9A·cm-2,平均腐蝕速率為0.027mm·a-1。當電解液中添加濃度為5g/L的NH4F時

3、,膜層表面裂紋顯著減少,陶瓷膜層在Hank's模擬體液中的腐蝕電位為-1.023V,腐蝕電流密度為3.689×10-9A·cm-2,平均腐蝕速率為0.016mm·a-1。當電解液中同時添加0.4g/L的HA和4g/L的NH4F時,復合陶瓷膜層在Hank,s模擬體液中的腐蝕電位為-0.957V,腐蝕電流密度為4.345×10-10A·cm-2,平均腐蝕速率為0.002mm·a-1,較單一添加HA和NH4F時腐蝕速率明顯降低。體外全浸實驗測

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論