2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
已閱讀1頁,還剩83頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、高功率脈沖磁控濺射因其濺射原子離化率較高,在薄膜沉積中表現(xiàn)出巨大的優(yōu)勢,成為當(dāng)前磁控濺射技術(shù)領(lǐng)域一個新的發(fā)展趨勢。在此基礎(chǔ)上,近年來發(fā)展了脈沖與直流電源并聯(lián)模式的復(fù)合高功率脈沖磁控濺射技術(shù)。高功率脈沖磁控濺射的放電特性、等離子體特性等微觀參數(shù)對薄膜質(zhì)量控制具有決定性作用,分析宏觀參數(shù)如何影響微觀參數(shù),有利于提高薄膜質(zhì)量,穩(wěn)定工藝。因此,本文主要研究復(fù)合高功率脈沖磁控濺射過程中,脈沖電壓(400~800 V)、脈沖寬度(50~400μs)

2、、直流電源部分耦合直流電流(0.0~4.0 A)等工藝參數(shù)對Ti、Cr靶在 Ar氣氛中的放電特性、等離子體參數(shù)(等離子體電勢、電子溫度、電子密度)、基體電流和 Ti薄膜沉積的影響。結(jié)果如下:(1)脈沖電壓的增加促進(jìn)脈沖作用期間的靶電壓和電流增加;脈沖寬度決定復(fù)合高功率脈沖磁控濺射的脈沖作用時間,對靶電壓和電流的形狀影響較大;耦合直流增加,脈沖作用期間的靶電流下降,靶電壓卻幾乎不受影響。(2) Ti、Cr靶放電過程中,當(dāng)Ti靶脈沖電壓為6

3、00 V或Cr靶脈沖電壓為700 V時,其電子密度出現(xiàn)較大值。當(dāng)脈沖寬度在150~250μs變化時,脈沖寬度增加,電子密度、等離子體電勢、電子溫度迅速增加,等離子體的離化率較高。耦合直流電流增加,電子密度增加;耦合直流電流為2.0 A時,等離子體電勢、電子溫度分別出現(xiàn)較大值2.98 V和0.93 eV。(3)脈沖電壓增加有利于基體電流增加;而脈沖寬度對基體電流的形狀影響較大;當(dāng)耦合直流電流為0.5 A時,基體電流出現(xiàn)較大值。(4)通過優(yōu)

4、化脈沖電壓、脈沖寬度、耦合直流電流等工藝參數(shù),在脈沖電壓600 V,脈沖寬度200μs,耦合直流電流1.0 A,基體偏壓-150 V條件下獲得性能優(yōu)異的Ti薄膜,其平均粗糙和硬度分別為0.9 nm和10.20 GPa。(5)復(fù)合高功率脈沖磁控濺射解決了以往報道的關(guān)于高功率脈沖磁控濺射技術(shù)沉積速率較低的問題,相同靶平均功率下,其 Ti薄膜沉積速率與傳統(tǒng)直流磁控濺射 Ti薄膜沉積速率相近。與傳統(tǒng)直流磁控濺射相比,復(fù)合高功率脈沖磁控濺射可以促

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評論

0/150

提交評論