C60和CdSe-CdS-ZnS量子點(diǎn)復(fù)合體系表面界面光電荷轉(zhuǎn)移的研究.pdf

1、籠狀結(jié)構(gòu)的C60具有較低的還原勢(shì)、三維共軛π電子結(jié)構(gòu)、遍布整個(gè)紫外可見(jiàn)光區(qū)的電子光譜和電子轉(zhuǎn)移過(guò)程中較小重組能等特點(diǎn)，其能與供電子體形成共軛體系結(jié)構(gòu)，顯示出良好的電子受體特征。一維 C60納米材料是由 C60分子通過(guò)自組裝構(gòu)筑而成的一維碳納米材料，它不但具有C60分子所具有的結(jié)構(gòu)特性，而且又有納米纖維所具有的線性特征，是近年來(lái)剛剛發(fā)展起來(lái)的一種新型的一維碳納米材料。量子點(diǎn)（quantum dots，QDs）所具有的獨(dú)特的物理特性，如尺寸

2、依賴的電子結(jié)構(gòu)、大的消光系數(shù)和多激子產(chǎn)生等特性，使得其作為光子受體具有很強(qiáng)的優(yōu)越性。在本論文中，通過(guò)熱蒸發(fā)和旋涂?jī)煞N方法相結(jié)合制備了雙層結(jié)構(gòu)的C60-QDs復(fù)合薄膜，利用液液界面沉淀法和在位生長(zhǎng)法制備出較大長(zhǎng)徑比的 C60納米棒和量子點(diǎn)修飾 C60納米棒，并對(duì)其形貌和光電性質(zhì)進(jìn)行了初步的研究。本論文主要包含以下三個(gè)方面的工作。
　　1.C60粉末與CdSe/CdS/ZnS量子點(diǎn)復(fù)合材料光電性能的研究
　　利用熱蒸發(fā)C60制備

3、一層C60薄膜然后在其上旋涂一層CdSe/CdS/ZnS量子點(diǎn)的方法制備了給體-受體雙層結(jié)構(gòu)的樣品，DFM測(cè)試結(jié)果表明C60薄膜的均一性和致密性均良好，其上旋涂一層CdSe/CdS/ZnS量子點(diǎn)的膜也比較均一。其熒光、表面光電壓譜（SPV）和I-V測(cè)試等表征手段發(fā)現(xiàn)所制備的雙層結(jié)構(gòu)復(fù)合薄膜樣品比單獨(dú)C60薄膜熒光在一定程度有所猝滅，表面光電壓有一定的增強(qiáng),I-V測(cè)試結(jié)果表明無(wú)論是暗態(tài)還是在加光條件下電流值均有接近3個(gè)數(shù)量級(jí)的提高。

4、>　　2.一維富勒烯（C60）納米棒的制備及其光電性能的研究
　　利用液液界面沉淀法制備出了具有較大長(zhǎng)徑比的C60納米棒，樣品間的分布比較均勻且相互之間沒(méi)有纏繞。SEM、TEM和XRD等表征結(jié)果表明C60納米棒是沿著［110］方向生長(zhǎng)的單晶結(jié)構(gòu)。UV-Vis光譜圖和表面光電壓譜圖（SPV）等表征結(jié)果表明C60納米棒的吸收拓展到了可見(jiàn)光區(qū)且吸收強(qiáng)度很大，SPV信號(hào)的也較原始C60有極大的增強(qiáng)。利用電場(chǎng)組裝的方法將單根的 C60納米棒

5、組裝到 Au電極上，其 I-V測(cè)試結(jié)果表明 C60納米棒與兩個(gè)Au電極間形成了幾乎相同的背靠背結(jié)構(gòu)的肖特基結(jié)。
　　3.CdSe/CdS/ZnS量子點(diǎn)修飾C60納米棒的制備及其光電性能的研究
　　利用液液界面沉淀法和在位生長(zhǎng)法制備出了具有較大長(zhǎng)徑比的CdSe/CdS/ZnS量子點(diǎn)修飾C60納米棒，合成的QDs修飾C60納米棒與單純C60納米棒具有相同的面心立方結(jié)構(gòu)，且 QDs以弱的范德華力大量的包覆在 C60納米棒上。UV-