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文檔簡介
1、當運用電磁場數(shù)值計算方法求解實際的電磁問題時,通常將求解目標看做為理想導體或者理想介質(zhì)。然后運用面等效源原理建立面積分方程(SIE)求解電磁散射和輻射問題。然而在實際求解的過程中,遇到非均勻介質(zhì)與導體結(jié)合的情況時,SIE并不適用求解此類的電磁問題。于是根據(jù)實際情況建立有效的積分方程來求解目標環(huán)境的電磁問題具有重要的意義。
在矩量法的基礎之上,本文根據(jù)求解區(qū)域所滿足的電磁條件建立有效的電場積分方程(EFIE)求解目標電磁問題。采
2、用MoM直接求解EFIE,分別需要O(N2)存儲量和O(N3)計算復雜度。于是本文根據(jù)可容許條件,將阻抗矩陣劃分為近場區(qū)和遠場區(qū)。對于遠場區(qū)矩陣塊的計算,采用拉格朗日插值多項式退化核函數(shù)低秩存儲,以降低求解過程中未知量與存儲量、計算量之間的級數(shù)關系從而提高計算效率。最后在H矩陣的基礎之上發(fā)展H2矩陣算法,并將其運用于實際的求解電磁問題中,驗證該算法的高效性、可行性。
最后,利用實現(xiàn)的計算程序計算了不同模型的電磁散射和輻射特性,
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