襯底材料與P+保護(hù)環(huán)對SBD ESD性能影響的研究.pdf

1、肖特基二極管(SBD)具有較低的正向?qū)▔航狄约傲己玫念l率特性，被廣泛應(yīng)用于高頻、整流等電子領(lǐng)域。隨著半導(dǎo)體技術(shù)快速發(fā)展，電路集成度愈來愈高，器件尺寸愈來愈小，相應(yīng)問題隨之而來，其中之一就是靜電放電(ESD)。SBD是一種對ESD敏感的器件，其每年因ESD導(dǎo)致SBD的失效在所有失效因素中占有很大的比例，主要由于ESD具有潛在性，很難檢查器件失效。如何提高器件的ESD性能是電子行業(yè)所面臨的一個(gè)重要問題。
　　本文研究提高SBD的ES

2、D性能途徑。利用SILVACOTCAD軟件對1ASBD芯片進(jìn)行建模，在芯片陰極加反向HBMESD電流脈沖，設(shè)置電學(xué)和熱學(xué)邊界條件，仿真SBD的ESD溫度場和電場分布。本文從襯底材料和P+環(huán)兩個(gè)方面研究提升SBD抗靜電能力的方法，在結(jié)構(gòu)不變的情況下，采用性能優(yōu)越的SiC材料替代傳統(tǒng)的Si作為襯底，對Si以及3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC四種SBD分別進(jìn)行結(jié)構(gòu)建模以及ESD性能的仿真。仿真結(jié)果表明，SiC襯底可以有效地提高SBD的

3、抗靜電能力，其中4H-SiC效果最好，電場峰值為3.51×105V/cm，比3C-SiC和6H-SiC小2×104V/cm;4H-SiC最大電流密度達(dá)到300A/cm2，比另外兩種SiC小一個(gè)數(shù)量級;在晶格溫度方面，4H-SiC、3C-SiC和6H-SiC溫度峰值分別為330K，335K和360K，其中，4H-SiC所需時(shí)間最長。
　　本文從無P+環(huán)、P+環(huán)結(jié)深、P+環(huán)寬度、環(huán)個(gè)數(shù)及環(huán)間距等方面研究P+環(huán)對SBD抗靜電能力改善作用