基于氯化膽堿的無氰置換鍍金工藝的研究.pdf

1、隨電子元器件的高密度化、線路設(shè)計(jì)的復(fù)雜化及電性能獨(dú)立化，解決電鍍過程復(fù)雜化的化學(xué)鍍金成為必然的鍍金方式。氰化物毒性大，對環(huán)境有著毀滅性的污染；并且此類鍍液中含有大量游離的氰根離子，會破壞電子元件基材防腐層，因此對無氰鍍金液的開發(fā)成為必然。
　　本實(shí)驗(yàn)研究了氯化膽堿在置換鍍金中的應(yīng)用。通過對施鍍過程中各因素的考察，確定了最佳配方和施鍍工藝。利用掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線衍射(XRD)對鍍層的形貌、組織結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析，并測定了鍍

2、層可焊性和耐蝕性。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：Au沉積速率隨著氯金酸濃度、施鍍溫度的增大呈上升的趨勢，隨ChCl濃度的減小呈增大的趨勢。鍍液最佳配方及工藝條件為：ChCl的濃度為500g/L、氯金酸1.0 g/L、T=80℃、pH=2.0，鍍速v=11 nm/min。與鎳基底相比金鍍層具有良好的耐腐蝕性和可焊性。在置換鍍金過程中，游離的金離子被還原為金單質(zhì)沉積于鎳基體上，而鎳基體則被氧化成鎳離子存在于溶液中。通過對ChCl濃度、金鹽濃度和施鍍溫度等影

3、響因素的考察和計(jì)算，推導(dǎo)了該體系中置換法化學(xué)鍍金的表觀活化能及動力學(xué)沉積速度方程。
　　置換型鍍金層的基礎(chǔ)鍍層采用化學(xué)鍍鎳層，置換鍍金層的析出過程和焊接性能方面會受到不同的影響，鎳層磷含量比較低的情況下置換鍍金層性能較差。本實(shí)驗(yàn)中考察了添加劑2,2-聯(lián)吡啶對中低磷鎳層基體下置換鍍金層性能的影響，結(jié)果表明2,2-聯(lián)吡啶的加入能明顯改善鍍層的形貌。同時考察了施鍍過程中副產(chǎn)物 Ni2+和 Cu2+對鍍金層性能的影響，確定了實(shí)際操作過程中