脈沖激光作用錫靶等離子體的羽輝膨脹過程及輻射光譜研究.pdf

1、隨著半導(dǎo)體尺寸不斷減小的技術(shù)要求，13.5 nm的極紫外（EUV）光源備受矚目，成為了下一代的光刻光源。EUV光源有望將節(jié)點縮短至10 nm以下，理論上，在達(dá)到10nm節(jié)點是甚至不需要采用兩次圖形曝光技術(shù)（Double patterning,DP）技術(shù)。然而，要想其能真正產(chǎn)業(yè)化，我們需要解決減少粒子碎屑對收集鏡面造成的影響以及增加EUV轉(zhuǎn)換效率兩個關(guān)鍵問題。
　　等離子體物理特性的研究對于脈沖激光作用靶材產(chǎn)生的EUV光源轉(zhuǎn)換效率的

2、提高以及粒子碎屑產(chǎn)量的降低有重要意義。本論文主要從等離子體羽輝與輻射光譜兩方面研究了等離子體粒子內(nèi)部特性，主要內(nèi)容如下：
　?。?）基于直接成像法拍攝了Nd:YAG激光誘導(dǎo)錫等離子體羽輝膨脹圖像，研究在不同激光能量條件下，不同的緩沖氣體以及不同壓強對等離子體邊界粒子動能、碰撞截面和減緩效率的影響。
　?。?）使用光譜法對Nd:YAG激光誘導(dǎo)錫等離子體發(fā)射光譜進行測量與記錄，并利用波爾茲曼作圖法和斯塔克展寬分別計算了等離子體電