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文檔簡介
1、近年來，主要是通過改變輻照激光參數(shù)(激光波長、脈寬和能量密度等)、背景環(huán)境(背景氣體種類及氣壓)和靶材(固體、液體和氣體)等對激光誘導等離子體的特性進行研究。目前針對金屬材料的激光誘導等離子體特性的研究較多，而對半導體材料研究很少。半導體鍺(Ge)由于在紅外技術、光纖通信及太陽能電池等領域具有廣泛的應用，特別是在軍事光電對抗方面具有重要的應用前景，因此需要了解和掌握高功率激光輻照Ge誘導等離子體的特性。
本論文基于研究不同環(huán)境
2、條件下不同波長激光誘導Ge等離子體的光譜，開展了激光誘導等離子體特性研究。主要工作為：
大氣環(huán)境下，分別利用波長為1064nm和355nm的納秒脈沖激光輻照Ge靶材，采用時空分辨發(fā)射光譜研究了激光脈沖能量對激光誘導Ge等離子體特性的影響，給出不同激光波長條件下，譜線強度、譜線半高寬度和等離子體電子密度等等離子體參數(shù)隨能量的變化及時空演化規(guī)律；真空環(huán)境下，利用波長為1064nm的納秒脈沖激光輻照Ge靶材，利用時間和空間分辨發(fā)射光
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