2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、LDMOS器件具有耐高壓、驅(qū)動能力強(qiáng)和易與 CMOS工藝技術(shù)兼容等優(yōu)點,因而在開關(guān)電源、汽車電子、工業(yè)控制、家用電器等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。近年來,對LDMOS模型的研究逐漸增多,但相比于常規(guī)的MOS器件,LDMOS在應(yīng)用中所觀察到的一些特殊的物理現(xiàn)象使其建模相對困難。因此,建立準(zhǔn)確的LDMOS器件模型顯得非常重要。
  本課題通過對LDMOS器件結(jié)構(gòu)和物理特性進(jìn)行分析,在物理推導(dǎo)的基礎(chǔ)上,采用近似方法處理,建立半經(jīng)驗的緊湊型模型

2、。為了將更多精力用于建模本身而非過多關(guān)注仿真器的接口問題,縮短模型開發(fā)周期,本文用Verilog-A語言來實現(xiàn)LDMOS模型。
  本文工作主要有以下幾點:
  1、介紹了LDMOS模型的概況、器件建模語言的發(fā)展歷史以及Verilog-A語言建模的優(yōu)點。
  2、考慮到模型的實現(xiàn)方法,分析了器件建模語言 Verilog-A的結(jié)構(gòu)和實現(xiàn)過程,包括語法結(jié)構(gòu)、模型加載、輸入數(shù)據(jù)處理、中間數(shù)據(jù)計算和模型運算等。以一個0.18

3、um25 V BCD工藝為例,闡述了LDMOS器件的結(jié)構(gòu)和工藝流程,重點介紹了LDMOS器件區(qū)別于普通MOS器件的橫向雙擴(kuò)散溝道以及漂移區(qū)結(jié)構(gòu),并在此基礎(chǔ)上詳述了LDMOS工作于高壓狀態(tài)時的一些特殊的物理現(xiàn)象,例如準(zhǔn)飽和效應(yīng)和自加熱效應(yīng)。
  3、在分析了LDMOS特殊效應(yīng)的基礎(chǔ)上,通過物理推導(dǎo)和近似處理,建立半經(jīng)驗的LDMOS模型,包括準(zhǔn)飽和效應(yīng)模型和自加熱效應(yīng)模型。LDMOS建模難點在于漂移區(qū)建模,漂移區(qū)在柵極電壓和漏極電壓都

4、很小時,電阻幾乎不變,可看做常數(shù)電阻,隨著柵極電壓和漏極電壓增大,漂移區(qū)電阻隨之變化,可將漂移區(qū)等效為一個受柵極電壓和漏極電壓控制的受控電阻。對自加熱效應(yīng),則采用熱阻熱容網(wǎng)絡(luò)模型,并在此基礎(chǔ)上加以簡化,主要考慮熱阻對電流的影響。對于建好的LDMOS模型,在BSIM4的Verilog-A模型的基礎(chǔ)上,修改源代碼,加入準(zhǔn)飽和效應(yīng)模型和自加熱效應(yīng)模型。最后,用模型提取軟件MBP(Model Builder Program)對LDMOS模型進(jìn)行

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