小尺寸應(yīng)變LDMOS器件研究.pdf

1、隨著MOS晶體管和MOS集成電路的出現(xiàn)，微電子產(chǎn)業(yè)開始迅速發(fā)展。1965年，G.Moore總結(jié)了MOS集成電路的發(fā)展規(guī)律：集成電路的集成度每十八個(gè)月就會增長兩倍-“摩爾定律”。如今，集成電路的發(fā)展還是基本遵循該定律繼續(xù)持續(xù)的發(fā)展。其中，集成電路的快速發(fā)展離不開器件特征尺寸的不斷縮小。但是，隨著器件的特征尺寸進(jìn)入納米量級，通過縮小器件特征尺寸來提高M(jìn)OS集成電路性能的辦法漸漸遇到很多物理問題和工藝流程的限制。對于應(yīng)用于P、L波段的小尺寸的

2、LDMOS器件也存在同樣的問題。由于應(yīng)變硅技術(shù)可以通過調(diào)節(jié)Si材料的能帶結(jié)構(gòu)，提升載流子的遷移率，進(jìn)而提升MOS集成電路的驅(qū)動能力而被廣泛關(guān)注。
　　首先，針對漂移區(qū)的應(yīng)力可能會降低 LDMOS器件的擊穿電壓的問題，提出引入局部應(yīng)變的 LDMOS器件。對于 LDMOS器件來說，耐壓主要由低摻雜的漂移區(qū)承受，由于應(yīng)變會使得材料的禁帶寬度變窄，當(dāng)其他條件相同時(shí)，若在漂移區(qū)中引入太大的應(yīng)力可能導(dǎo)致 LDMOS器件的擊穿電壓變小，因此應(yīng)當(dāng)

3、盡量避免在漂移區(qū)中引入太大的應(yīng)力。通過在 LDMOS器件表面不同位置覆蓋具有應(yīng)力的SiN薄膜對LDMOS器件溝道中引入較大的應(yīng)力，而在漂移區(qū)中引入較小的應(yīng)力，達(dá)到在幾乎不影響擊穿電壓的條件下，提升器件的電學(xué)特性的目的。而且可以將這種技術(shù)引入到小尺寸的LDMOS器件中。
　　其次，將前面的引入局部應(yīng)變的方法引入到小尺寸的 LDMOS器件中。小尺寸的LDMOS器件存在著擊穿電壓比較小的問題，采用STI結(jié)構(gòu)，將LDMOS器件的擊穿電壓提