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文檔簡介
1、多晶硅已逐步取代單晶硅成為市場上主要的光伏材料。目前市場上大部分企業(yè)為了降低成本,縮短多晶硅鑄錠時(shí)間,最大程度的追求DS塊底部的散熱量,在DS塊底部未設(shè)有增加保溫條,并且在長晶末期為了增加長晶速率基本采用降溫措施。但是隨著多晶市場競爭情況愈演愈烈,追求更加高質(zhì)量的多晶硅片已成為大部分企業(yè)的首要目的。
本文針對目前鑄錠爐熱場結(jié)構(gòu)和工藝的不完善做了進(jìn)一步優(yōu)化改造,主要包括以下兩個(gè)問題點(diǎn):鑄錠爐熱場結(jié)構(gòu)的改造對晶錠質(zhì)量的影響;采用長
2、晶末期反向升溫的工藝配方優(yōu)化對多晶硅錠頭料長度以及收益率的影響。
得到的主要結(jié)論如下:改造鑄造多晶硅中鑄錠爐的熱場結(jié)構(gòu),減小DS塊底部散熱面積以及DS塊底部保溫條和底部保溫板的距離,能使晶錠籽晶面積有所提升,同時(shí)降低了黑點(diǎn)和陰影的長度,PL值也有所降低。調(diào)整工藝配方,采用長晶末期反向升溫的工藝,能夠使在頭部聚集的有害雜質(zhì)及時(shí)得到分凝,頭料中氧元素的含量也有所降低,同時(shí)減小了頭部低少子壽命區(qū)域,進(jìn)而降低了晶錠頭料的長度,提高多晶
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