反射Z-掃描方法測量半導體InN的光學非線性.pdf

1、半導體材料一般具有較強的光學非線性效應，在半導體激光器、光開關(guān)、光限幅、光信息處理等方面具有重要的應用價值。新型的Ⅲ-V族化合物半導體InN是直接能隙半導體材料，禁帶寬度對應紅外波段，同時載流子濃度、表面電子濃度和電子遷移率很高，在紅外光電器件、非線性光子器件等方面具有很大的潛力。
　　近年來，對氮化銦光學非線性方面的研究主要集中在InN薄膜材料，本文主要利用反射Z-掃描技術(shù)研究InN體材料在可見波段的光學非線性性質(zhì)，并利用透射Z

2、-掃描技術(shù)研究其在近紅外波段的非線性吸收特性。
　　本文從反射 Z-掃描技術(shù)的理論出發(fā)，數(shù)值模擬了線性折射、線性吸收、入射角度等物理參數(shù)對開孔反射 Z-掃描反射光能量的影響，通過分析討論得出開孔反射 Z-掃描不受非線性吸收的影響的條件。通過半透明半導體材料ZnSe的透射Z-掃描測量中掃描樣品和移動透鏡的實驗，結(jié)合其移動透鏡反射 Z-掃描實驗，比較實驗結(jié)果得出移動透鏡進行反射 Z-掃描實驗的方案是可行的，而且與掃描樣品的反射 Z-掃