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文檔簡介
1、ZnO是一種重要的寬禁帶直接帶隙半導體，禁帶寬度為3.37 eV，有著高達60meV的激子束縛能，其制備方法多樣且簡單，相較于制備工藝更復雜的GaN等寬禁帶半導體，ZnO在短波長光電器件，尤其是紫外光電探測方面有著很好的應用前景。目前，對其寬光譜響應和熱敏性能的研究不夠全面，為了使ZnO材料具有不局限于紫外區(qū)域的光電響應以及更加優(yōu)異的熱敏性能，本文分別使用Li和Mg元素摻雜對ZnO性質(zhì)進行調(diào)控，采用更經(jīng)濟和方便的低溫燃燒合成制備出帶狀Z
2、nO摻雜微/納米材料并對其進行測試研究。
本研究主要內(nèi)容包括：⑴對ZnO:Li和ZnO:Mg微/納米材料分別進行熱敏性能測試后發(fā)現(xiàn)兩種摻雜的樣品在加熱后呈現(xiàn)出負溫度系數(shù)，在室溫到250℃的測試范圍內(nèi)樣品都表現(xiàn)出穩(wěn)定、優(yōu)秀的熱敏性能。與同種方法制備的純ZnO微/納米結(jié)構(gòu)進行對比后可以看出摻雜大大提高了樣品的熱敏性能。⑵對600℃退火下的ZnO:Li微/納米材料的光電導性能研究發(fā)現(xiàn)樣品在與Ag接觸時形成歐姆接觸，而且表現(xiàn)出持續(xù)的光
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