2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁(yè)
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1、金屬摻雜的稠環(huán)芳香烴有機(jī)超導(dǎo)體是最近這幾年超導(dǎo)領(lǐng)域最重要的發(fā)現(xiàn)之一,以實(shí)現(xiàn)室溫超導(dǎo)為目的,研究人員們致力于此類新型超導(dǎo)材料和超導(dǎo)現(xiàn)象的探索和觀察。有機(jī)超導(dǎo)體具有很輕的重量及低維特性,一方面使其成為潛在的高溫超導(dǎo)體應(yīng)用材料,如芳香烴材料被廣泛地應(yīng)用于制造有機(jī)發(fā)光二級(jí)管(OLED),另一方面也使得有機(jī)超導(dǎo)體成為人們研究低維體系的電子-電子相互作用和電子-聲子相互作用的獨(dú)特材料。但目前有機(jī)超導(dǎo)體的研究仍然存在一些問題,包括摻雜結(jié)構(gòu)及原子位置難

2、以確定、對(duì)超導(dǎo)機(jī)理的認(rèn)識(shí)還不夠清晰、許多材料的研究仍不夠深入等。
  針對(duì)這些存在的科學(xué)問題,本論文采用第一性原理計(jì)算的方法系統(tǒng)深入地研究了芳香烴超導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)、摻雜原子位置、電子性質(zhì)、磁性等物性,以及電子關(guān)聯(lián)效應(yīng)與超導(dǎo)機(jī)理間的關(guān)系。本論文的研究?jī)?nèi)容主要分為以下幾個(gè)方面:
  1、K摻雜的四環(huán)體系的晶格結(jié)構(gòu)、熱力學(xué)穩(wěn)定性、電子性質(zhì)和超導(dǎo)預(yù)測(cè)。通過考慮不同的空間群對(duì)稱性和摻雜濃度,發(fā)現(xiàn)最穩(wěn)定的摻雜結(jié)構(gòu)是P21對(duì)稱性的K2摻雜

3、的結(jié)構(gòu),并給出了摻雜的K原子位置;通過計(jì)算給出了不同摻雜濃度下的電子能帶結(jié)構(gòu),發(fā)現(xiàn)盡管K2摻雜是半導(dǎo)體,但是給予少量微擾電荷將會(huì)使體系發(fā)生絕緣體-金屬轉(zhuǎn)變,并且分析晶體的熱力學(xué)穩(wěn)定性后發(fā)現(xiàn)K2摻雜帶微擾電荷后的體系是穩(wěn)定的;通過差分電荷密度的分析證實(shí)了體系內(nèi)K原子轉(zhuǎn)移電子到有機(jī)分子上的超導(dǎo)機(jī)制;估算了帶微擾電荷后K2摻雜體系的超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度。
  2、Sm摻雜的四環(huán)體系的晶格結(jié)構(gòu)、電子性質(zhì)和磁性研究。針對(duì)不同的空間群和初始磁組態(tài),確

4、立了摻雜Sm原子后的晶格結(jié)構(gòu)和Sm原子位置,發(fā)現(xiàn)Sm原子摻雜四環(huán)體系最穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)是C2/c對(duì)稱性下的反鐵磁結(jié)構(gòu);分析了電子結(jié)構(gòu)隨Hubbard U參數(shù)的變化;計(jì)算了GGA和GGA+U兩種方法下的態(tài)密度后發(fā)現(xiàn),GGA泛函下,Sm的4f電子在費(fèi)米能級(jí)處有一個(gè)非常尖銳的DOS峰,GGA+U泛函下,Sm的4f電子的DOS被推開,費(fèi)米能級(jí)上的電子態(tài)主要由C的2p電子貢獻(xiàn);Sm摻雜時(shí)體系表現(xiàn)為反鐵磁金屬性,Sm原子自旋磁矩為5.9μB,軌道磁矩為-

5、1.6μB,總磁矩為4.3μB,C原子上的極化磁矩為0.1μB;Sm在這類材料中是+2價(jià)的,兩個(gè)電子轉(zhuǎn)移到有機(jī)分子上;同時(shí)也證實(shí)在此類體系中電子關(guān)聯(lián)效應(yīng)不可忽略。
  3、K摻雜的對(duì)三聯(lián)苯體系的晶體結(jié)構(gòu)、電子性質(zhì)、摻雜導(dǎo)致的成鍵情況演化和對(duì)超導(dǎo)現(xiàn)象的推測(cè)。經(jīng)過計(jì)算確定了K摻雜的對(duì)三聯(lián)苯體系最穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)是P21對(duì)稱性下的K2C18H14,K原子摻雜在了相應(yīng)的對(duì)三聯(lián)苯分子的C-C單鍵相連的橋鍵處;通過電子性質(zhì)的計(jì)算發(fā)現(xiàn)三種摻雜濃度下都

6、有兩條能帶穿過費(fèi)米面而呈現(xiàn)金屬態(tài),其中最穩(wěn)定的K2C18H14的費(fèi)米面處的態(tài)密度值為每分子1.28states·eV-1;由差分電荷密度和電荷局域密度的分析證實(shí)K原子轉(zhuǎn)移電子到有機(jī)分子上;根據(jù)計(jì)算推測(cè)K2C18H14對(duì)應(yīng)于最近實(shí)驗(yàn)上發(fā)現(xiàn)的7.2K的超導(dǎo)相。
  4、K摻雜三環(huán)體系的表面生長(zhǎng)構(gòu)型下的摻雜難度、摻雜結(jié)構(gòu)、電子性質(zhì)及電荷轉(zhuǎn)移。對(duì)于K摻雜的三環(huán)分子體系,建立了表面吸附模型,從晶體生長(zhǎng)的角度分析了各種摻雜濃度下最可能產(chǎn)生的晶

7、格結(jié)構(gòu)和摻雜位置,發(fā)現(xiàn)K吸附在表面的情況是總能最高、最不穩(wěn)定的結(jié)構(gòu),推測(cè)K原子是可以摻雜進(jìn)體塊內(nèi)的,而不是吸附在表面;給出了各摻雜濃度下的態(tài)密度分布及與塊體材料態(tài)密度的對(duì)比,發(fā)現(xiàn)表面生長(zhǎng)情況下的K原子摻雜三環(huán)分子體系也可以形成金屬態(tài);發(fā)現(xiàn)K原子轉(zhuǎn)移電子到有機(jī)分子上,表面吸附的情況下也可能成為超導(dǎo)體。
  芳香烴化合物體系自發(fā)現(xiàn)超導(dǎo)現(xiàn)象以來(lái)就引起了人們極大的興趣和廣泛的關(guān)注,本論文對(duì)芳香烴化合物超導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)、磁性、電子性質(zhì)、晶體生長(zhǎng)

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