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文檔簡介
1、功能氧化物由于其廣泛的性質(zhì):鐵磁性,鐵電性,壓電性,熱電性,超導(dǎo)性和非線性光學(xué)效應(yīng)而引起了相當(dāng)大的研究關(guān)注。Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體襯底由于其良好的光電子和高移動性的傳輸性質(zhì)而具有特殊應(yīng)用意義。將功能氧化物集成在Ⅲ-Ⅴ半導(dǎo)體襯底上是當(dāng)下研究熱點,高載流子遷移率的STO/GaAs界面是其中典型的代表。
鋁酸鑭(LaAlO3)與鈦酸鍶(SrTiO3)同屬于鈣鈦礦型氧化物,晶格大小非常接近?;阡X酸鑭與鈦酸鍶的晶格關(guān)系,本文圍繞鋁酸鑭/砷化鎵
2、(LAO/GaAs)異質(zhì)界面的電學(xué)性能研究展開,主要完成了了以下工作:
1.利用脈沖激光沉積(PLD)設(shè)備,以GaAs(100)為基片,LAO為靶材制備出了高質(zhì)量的LAO/GaAs薄膜樣品。
2.對LAO/GaAs樣品進行XRD表征,確認LAO的生長晶向為預(yù)期的GaAs對角線方向。
3.對LAO/GaAs界面電輸運特性進行變溫霍爾測試,得出LAO/GaAs界面有較高的空穴型載流子遷移率。
4.引入
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