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文檔簡介
1、黑色素瘤(Cutaneous Malignant Melanoma,CMM),又稱惡性黑色素瘤,來源于黑素細胞,呈高侵襲性,易出現遠端轉移。紫外線是造成皮膚表層細胞DNA損傷的主要的物理因素之一,也是誘發(fā)黑色素瘤的明確病因之一。自噬(Autophagy)與凋亡(Apoptosis)是細胞內兩種程序性死亡方式。細胞自噬性降解可維持生理狀態(tài)下機體的穩(wěn)態(tài),過度自噬引起的自噬失調與腫瘤、感染、神經退行性變等疾病相關。凋亡是通過激活內源性DNA內
2、切酶而誘導的細胞死亡過程。惡性黑色素瘤的發(fā)生、發(fā)展通常與細胞凋亡基因調控失常而導致凋亡障礙有關。自噬與凋亡作為兩種調控方式共同存在于細胞內,二者共同的調控因子使二者可以發(fā)生相互轉化,從而決定細胞的命運。MicroRNA通過降解靶基因參與自噬與凋亡的調控。因此深入研究UVB的輻射損傷機制及microRNA在其中的作用,能為預防和靶向治療黑色素瘤提供重要依據。
研究目的:
探討中波紫外線(UVB)和模擬日光紫外線對A37
3、5細胞自噬、凋亡的影響,以及自噬與凋亡相互調控來分析紫外線對黑色素瘤A375細胞的生存能力等生物學功能改變,并初步探討microRNA-664在相互調控中的作用機制。
研究方法:
用不同劑量的UVB(功率密度:165μW/cm2)照射A375細胞,在照后不同時間點雙熒光自噬慢病毒監(jiān)測10、30、50mJ/cm2UVB照后A375細胞自噬情況的變化;CCK-8法檢測增殖變化;流氏細胞術分析細胞凋亡及周期變化;qPCR檢
4、測miR-664的表達;Western Blot分析自噬、凋亡、周期、DNA損傷等生物學功能標志蛋白變化。模擬不同劑量日光照射(UVA∶UVB=95∶5,UVA功率密度為118μW/cm2),觀察照后不同時間點A375細胞自噬、凋亡變化,并分析相應的生物學功能標志蛋白變化。
研究結果:
(1)UVB照射:
1)0~50mJ/cm2的UVB照射,對A375細胞自噬誘導的能力呈先增高后降低的拋物線趨勢,30mJ
5、/cm2最強。10、30mJ/cm2照射后,自噬體數量在0~6h內逐漸增多,9h開始減少。相應地,LC3、Beclin1在0~50mJ/cm2UVB照后表達先增加后減少,10、30mJ/cm2組蛋白表達在0~6h逐漸增加,9h表達減少;
2)UVB照射時,10、30mJ/cm2照后均有凋亡高峰(9h)延遲于自噬高峰出現(6h),且在自噬最強時有凋亡標志蛋白表達被抑制;
3)10、30mJ/cm2的UVB照射A375細
6、胞后,細胞增殖能力均有照后0~6h逐漸增強,9h開始減弱的趨勢,但兩個劑量增減幅度不同。10mJ/cm2照射后,在0~9h內,S期細胞比例增多,對應的CDK4的表達也呈逐漸增加,且9h達最大值。30mJ/cm2照射組,未見細胞周期的明顯改變。在照后24h后細胞均表現為存活。
(2)模擬日光紫外照射:
1)不同劑量(10、30、50mJ/cm2)照后均可誘導A375細胞產生自噬,10、30mJ/cm2照射,自噬體在0~
7、6h內逐漸增多,9h開始下降,50mJ/cm2模擬日光照射后自噬體在3h即可形成,在觀察時間內均維持較高自噬水平。與之對應的,10、30mJ/cm2組LC3、Beclin1表達在6h才出現顯著增加,而50mJ/cm2組在3h已顯著增加,6~12h持續(xù)高表達;
2)單純UVA、單純UVB及模擬日光紫外照射方式分別照射A375細胞后,三者對自噬誘導能力的由強到弱依次為:模擬照射>單獨UVB照射>單獨UVA照射;
3)30
8、mJ/cm2模擬日光紫外照射A375細胞后,凋亡高峰(照后9h)延遲于自噬高峰(照后6h)出現,且自噬高峰有凋亡蛋白Caspase3/9的表達降低。抑制自噬后,6h、9h凋亡蛋白Caspase3/9表達增加。
(3)較于黑素原代細胞,miR-664在A375細胞中呈低表達,上調miR-664后,UVRAG、Beclin-1表達降低,Atg5、Atg12表達量上升,BAX及Bcl-2無明顯變化。
研究結論:
9、1.10、30mJ/cm2的UVB照射,誘導A375細胞產生的自噬促進細胞增殖,對細胞呈保護作用,10mJ/cm2的UVB照射,可誘導細胞發(fā)生S期阻滯;
2.UVB或模擬日光紫外照射可誘導A375細胞產生自噬,UVB是主要貢獻者;
3.紫外照射誘導產生的自噬可以延遲凋亡的發(fā)生,促進細胞存活;
4.A375細胞中miR-664的表達低于黑色素原代細胞,miR-664可能參與紫外誘導A375細胞自噬與凋亡相互調
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