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文檔簡介
1、本研究分為兩個部分:
第一部分:CPTⅡ F352C突變對重癥EV71感染的臨床研究
目的:研究肉堿棕櫚?;D(zhuǎn)移酶Ⅱ(CPTⅡ)基因多態(tài)性與EV71感染遺傳易感性的關(guān)系,探討CPTⅡ F352C突變及低血ATP水平對重癥EV71感染的影響。
方法:于2009年05月至2013年11月收集山東青島地區(qū)的EV71感染患兒333例,根據(jù)病情輕重分成EV71感染組、EV71腦炎組。提取患兒外周血白細(xì)胞的基因組DNA
2、,應(yīng)用聚合酶鏈反應(yīng)擴增EV71感染患兒及328例正常對照兒童CPTⅡI的5個外顯子,并利用haploview軟件識別該基因的所有單倍型,分析各個位點間的連鎖不平衡關(guān)系;同時檢測患者外周血ATP水平,記錄患兒的癥狀、體征、臨床特點及實驗室檢測指標(biāo)。
結(jié)果:EV71感染組患兒CPTⅡ F352C位點G等位基因頻率明顯高于正常對照組(26.9%VS20.4%,OR=1.432,95%CI=1.109-1.713,p=0.006),且
3、該位點G等位基因頻率在EV71腦炎組與普通手足口病組相比,其差異也有明顯的統(tǒng)計學(xué)意義(36.3%VS24.7%,OR=1.734,95%CI=1.145-2.626,P=0.009)。V368I位點基因頻率、等位基因分布在EV71感染組與對照組中無顯著統(tǒng)計學(xué)差異(P>0.05),但在EV71感染患兒中,EV71腦炎患兒V368I位點A等位基因頻率明顯高于普通手足口病患兒(17.7%VS27.7%,OR=0.564,95%CI=0.343
4、-0.927,P=0.023)。CPTⅡ F352C位點(TG+GG)基因型攜帶患兒ATP水平在重癥組(0.63±0.06mmol/L vs.0.69±0.08mmol/L,P<0.01)和輕癥組(0.93±0.08 mmol/L vs.0.96±0.05mmol/L,P=0.025)中均有明顯下降,而且在EV71腦炎患兒中,A-G單倍型攜帶患兒其ATP水平較A-T單倍型(0.65±0.09 mmol/L vs.0.69±0.07 mm
5、ol/L,P<0.01)及 G-T單倍型(0.65±0.09 mmol/L vs.0.69±0.05 mmol/L,P<0.01)均有明顯下降;A-G單體型患兒ATP水平與持續(xù)發(fā)熱時間、CRP水平、白細(xì)胞計數(shù)及血糖濃度均呈顯著的負(fù)相關(guān)(P<0.01,P<0.01,P<0.05,P<0.01),而與病毒載量沒有明顯的相關(guān)關(guān)系(P>0.05)。
結(jié)論:⑴CPTⅡ F352C突變與重癥EV71感染有關(guān),G等位基因攜帶者EV71腦炎的
6、發(fā)病幾率明顯升高。⑵CPTⅡ A-G單倍型攜帶者與重癥EV71感染有關(guān)。⑶CPTⅡ F352C位點G等位基因攜帶者EV71感染后ATP產(chǎn)生減少,導(dǎo)致了線粒體能量代謝障礙,從而介導(dǎo)EV71感染重癥的發(fā)生發(fā)展。
第二部分:CPTⅡ F352C突變對CPTⅡ蛋白功能的影響
目的:研究EV71感染及不同溫度干預(yù)轉(zhuǎn)染細(xì)胞后CPTⅡ酶活性、脂肪酸β-氧化和ATP水平、線粒體膜電位,最終明確1055T>G/F352C突變對重癥EV
7、71腦炎患者CPTⅡ功能的影響。
方法:隨機選取3例EV71重癥腦炎患兒:經(jīng)CPTⅡ基因全外顯子測序,證實為CPTⅡ1055/F352C位點野生型(TT)1例及CPTⅡ1055/F352C位點變異型2(TG/GG各1例)例。擴增制備含有CPTⅡ F352C基因的片段,并與載體GV416進行重組,實現(xiàn)體外環(huán)化,獲得含有CPTⅡ F352C野生型和突變型基因的過表達(dá)慢病毒載體并共同轉(zhuǎn)染Vero細(xì)胞,各組分為2部分,分別加入EV71
8、懸液和等量DMEM培養(yǎng)液,培養(yǎng)72小時后,分別置于37℃、39℃和41℃情況下培養(yǎng)2小時,并立即利用不同濃度的L-Carnitine作為底物,測定CPTⅡ剩余酶的活性;同時經(jīng)熒光探針JC-1染色,以流式細(xì)胞儀檢測數(shù)據(jù)經(jīng)Cell Quest軟件采集,以二通道(FL2)與一通道(FL1)平均熒光強度的比值(FL2/FLl)檢測線粒體膜電位;用1%的三氯乙酸處理Vero細(xì)胞后,收集上清液,經(jīng)luminometer檢測相對光單位,根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)曲線計
9、算ATP的濃度。
結(jié)果:CPTⅡ1055T>G/F352C位點GT、GG基因型攜帶者未經(jīng)EV71干預(yù)時,于41℃培養(yǎng)2小時后,其線粒體膜電位較37℃、39℃條件下明顯下降;而感染EV71后,線粒體膜電位在各培養(yǎng)溫度下均有明顯下降,且與溫度呈明顯的負(fù)相關(guān);同時GT、GG基因型Vero細(xì)胞經(jīng)EV71干預(yù)后,其ATP水平較前下降,且在39℃、41℃培養(yǎng)溫度下,其ATP水平較37℃培養(yǎng)條件下有顯著下降,與培養(yǎng)溫度之間存在明顯的負(fù)相關(guān),
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