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  • 丙烯的<em>pvt</em>狀態(tài)分析7
  • β晶型iPP的<em>PVT</em>性能研究.pdf59

    β晶型iPP的<em>PVT</em>性能研究.pdf β晶型iPP的PVT性能研究.pdf(59頁)

    等規(guī)聚丙烯ISOTACTICPOLYPROPYLENE,IPP是一種典型的多晶質(zhì)半結(jié)晶高聚物,擁有著優(yōu)異的綜合性能和高性價比等優(yōu)勢,因而在高分子成型加工領(lǐng)域得到了十分廣泛的應(yīng)用。Α晶型聚丙烯ΑIPP和Β晶型聚丙烯ΒIPP在IPP包括的晶型晶體中最為常見。ΒIPP相對于ΑIPP具有更高的...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 表面 / 發(fā)布時間:2024-03-10 / 4人氣

  • ZnO晶體<em>PVT</em>生長工藝研究.pdf52

    ZnO晶體<em>PVT</em>生長工藝研究.pdf ZnO晶體PVT生長工藝研究.pdf(52頁)

    在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域ZNO是繼SIC和GAN之后又一種極具潛力的光電子材料。這種化合物半導(dǎo)體在室溫下禁帶寬度為337EV其更高的自由激子結(jié)合能可達(dá)60MEV并且發(fā)光波長比GAN的藍(lán)光波長還要短。隨著新型光電材料產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展人們需要更多的應(yīng)用于藍(lán)紫外激光器、探測器、抗輻...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 我輸給你了 / 發(fā)布時間:2024-03-09 / 3人氣

  • 水冷型<em>PVT</em>圍護(hù)結(jié)構(gòu)傳熱特性研究.pdf77

    水冷型<em>PVT</em>圍護(hù)結(jié)構(gòu)傳熱特性研究.pdf 水冷型PVT圍護(hù)結(jié)構(gòu)傳熱特性研究.pdf(77頁)

    太陽能建筑一體化技術(shù)以其較高的熱回收、審美優(yōu)勢和快速的經(jīng)濟(jì)回報等優(yōu)勢具有良好的應(yīng)用前景。而水冷型BIPVT系統(tǒng)以其較高的綜合熱效率具有明顯的優(yōu)勢和應(yīng)用前景。從現(xiàn)有研究成果看,在假設(shè)換熱管流量分布均勻的前提下,一維傳熱模型能保證計算精度要求,但對于PVT組...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 有酒可以喝 / 發(fā)布時間:2024-03-09 / 38人氣

  • SRAM <em>PVT</em>補(bǔ)償方法研究及電路實現(xiàn).pdf80

    SRAM <em>PVT</em>補(bǔ)償方法研究及電路實現(xiàn).pdf SRAM PVT補(bǔ)償方法研究及電路實現(xiàn).pdf(80頁)

    隨著集成電路工藝尺寸向著超深亞微米級甚至納米級的進(jìn)一步縮小,芯片單位面積上的功耗密度不斷上升,這使功耗成為集成電路設(shè)計中必須考慮的關(guān)鍵問題。亞閾值設(shè)計通過降低系統(tǒng)的電源電壓至亞閾值區(qū)域有效地降低系統(tǒng)的功耗。然而,在亞閾值區(qū)域的MOS晶體管呈現(xiàn)出與其在...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 思已成灰 / 發(fā)布時間:2024-03-11 / 6人氣

  • <em>PVT</em>法生長SiC單晶中V摻雜行為研究.pdf61

    <em>PVT</em>法生長SiC單晶中V摻雜行為研究.pdf PVT法生長SiC單晶中V摻雜行為研究.pdf(61頁)

    半絕緣碳化硅單晶SISIC是非常有吸引力的微波大功率電子器件襯底材料。大部分SISIC材料由物理氣相傳輸PVT工藝生長,該工藝包括碳化硅粉的升華,升華產(chǎn)物的輸運(yùn)和結(jié)晶三個過程。有兩種SISIC材料,其一為高純SISIC,稱為HPSISIC,其二為摻釩SISIC。本文研究內(nèi)容限于PVT...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 灼灼其華 / 發(fā)布時間:2024-03-10 / 7人氣

  • 制冷工質(zhì)<em>PVT</em>性質(zhì)的實驗和理論研究.pdf112

    制冷工質(zhì)<em>PVT</em>性質(zhì)的實驗和理論研究.pdf 制冷工質(zhì)PVT性質(zhì)的實驗和理論研究.pdf(112頁)

    該文主要研制了一套高精度的PVT性質(zhì)測試系統(tǒng)并以此用實驗的方法研究了一種新工質(zhì)HFC227EA的PVT性質(zhì)結(jié)合理論分析推算了HFC227EA的飽和氣液焓、熵在理論上拓展了對比態(tài)理論提出了通用對比態(tài)蒸氣壓方程和飽和液體密度方程并對HFCS二元混合工質(zhì)氣液平衡態(tài)進(jìn)行了研究研制...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 你還是沒感動 / 發(fā)布時間:2024-03-09 / 10人氣

  • <em>PVT</em>法生長大尺寸SiC晶體的數(shù)值模擬.pdf83

    <em>PVT</em>法生長大尺寸SiC晶體的數(shù)值模擬.pdf PVT法生長大尺寸SiC晶體的數(shù)值模擬.pdf(83頁)

    碳化硅是寬帶隙半導(dǎo)體材料的典型代表,是制造高電壓,高溫度,高電流密度等極端條件下使用的器件的優(yōu)良材料。PVT法是目前廣泛使用的單晶生長方法。生長過程中包括復(fù)雜的物理化學(xué)變化,很難精確控制系統(tǒng)的熱場。因此,要準(zhǔn)確了解生長系統(tǒng)中的溫度場來有效控制碳化硅晶...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 清明后 / 發(fā)布時間:2024-03-09 / 6人氣

  • <em>PVT</em>法生長6H-SiC單晶工藝的初步探索.pdf47

    <em>PVT</em>法生長6H-SiC單晶工藝的初步探索.pdf PVT法生長6H-SiC單晶工藝的初步探索.pdf(47頁)

    矽甥FFZK事碩士學(xué)位論文PVT法生長6HSIC單晶工藝的初步探索題目和副題學(xué)科名稱學(xué)科門類指導(dǎo)教師申請日期譚長興作者姓名材料物理與化學(xué)工學(xué)陳治明20063叭1一刪0一哪0一㈣4一M4一洲3一3一眥Y一摘要PVT法生長6HSIC單晶工藝的初步探索學(xué)科材料物理與化學(xué)研究生譚長興導(dǎo)師...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 重蹈覆轍 / 發(fā)布時間:2024-03-07 / 5人氣

  • 聚合物<em>PVT</em>測試裝置的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng).pdf69

    聚合物<em>PVT</em>測試裝置的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng).pdf 聚合物PVT測試裝置的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng).pdf(69頁)

    北京化工大學(xué)碩士學(xué)位論文聚合物PVT測試裝置的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)姓名舒暉翔申請學(xué)位級別碩士專業(yè)機(jī)械電子工程指導(dǎo)教師何雪濤20080530北京化工大學(xué)碩士學(xué)位論文聚合物材料在SPENCER狀態(tài)方程和TAIT方程中的參數(shù),從而可將試驗成果建立數(shù)據(jù)庫,以指導(dǎo)MOLDNOW/MOLD等CAE軟件...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 仙骨鹿 / 發(fā)布時間:2024-03-10 / 13人氣

  • 基于注塑裝備的聚合物<em>PVT</em>關(guān)系測控技術(shù)的研究.pdf159

    基于注塑裝備的聚合物<em>PVT</em>關(guān)系測控技術(shù)的研究.pdf 基于注塑裝備的聚合物PVT關(guān)系測控技術(shù)的研究.pdf(159頁)

    聚合物的PVT壓力比容溫度關(guān)系是進(jìn)行制品注塑成型流動分析、注塑成型制品模具設(shè)計和注塑成型過程控制及工藝分析的主要依據(jù),其在聚合物加工成型領(lǐng)域尤其是精密注塑成型領(lǐng)域的作用日趨重要。本文首先研制了聚合物PVT關(guān)系在線測試實驗設(shè)備,提出了一種基于注塑裝備的聚...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 抓不住過往 / 發(fā)布時間:2024-03-10 / 10人氣

  • <em>PVT</em>法生長SiC晶體的熱系統(tǒng)分析.pdf120

    <em>PVT</em>法生長SiC晶體的熱系統(tǒng)分析.pdf PVT法生長SiC晶體的熱系統(tǒng)分析.pdf(120頁)

    西安理工大學(xué)博士學(xué)位論文PVT法生長SIC晶體的熱系統(tǒng)分析姓名張群社申請學(xué)位級別博士專業(yè)微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師陳治明20071001MECHANISMOFHEATTRANSPORTOFSICGROWTHBYP、廠RMAJORMOCROELECTRONICSANDSOLIDSTATEELECTROCANDIDATEZHANGQUNSHESIGNATURESUPERVISOR...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 見你愛笑 / 發(fā)布時間:2024-03-06 / 18人氣

  • <em>PVT</em>偏差容忍電路的快速自適應(yīng)頻率系統(tǒng)設(shè)計.pdf82

    <em>PVT</em>偏差容忍電路的快速自適應(yīng)頻率系統(tǒng)設(shè)計.pdf PVT偏差容忍電路的快速自適應(yīng)頻率系統(tǒng)設(shè)計.pdf(82頁)

    隨著集成電路和移動終端的迅猛發(fā)展,人們對消費(fèi)類電子產(chǎn)品性能的要求越來越高。然而,由于工藝、電壓和溫度PROCESS、VOLTAGETEMPERATURE,PVT等偏差因素的影響,數(shù)字集成電路設(shè)計通常為芯片預(yù)留較大的時序余量,來保證芯片在最壞情況下也能正常工作,但最壞情況時極...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 一生隨性 / 發(fā)布時間:2024-03-05 / 6人氣

  • ZnO晶體<em>PVT</em>法生長熱動力學(xué)分析.pdf62

    ZnO晶體<em>PVT</em>法生長熱動力學(xué)分析.pdf ZnO晶體PVT法生長熱動力學(xué)分析.pdf(62頁)

    在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域中繼GAN和SIC之后的研究熱點是一種在藍(lán)光、紫外、近紫外波段的光電子器件極具潛力的光電子材料ZNO。它是一種集半導(dǎo)體、發(fā)光、壓電、電光、閃爍等多種功能為一體的晶體它有著比GAN高兩倍的激子結(jié)合能60MEV有著良好的抗輻射性能可以工作在太空或核應(yīng)...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 愛是矜持 / 發(fā)布時間:2024-03-09 / 7人氣

  • 抗<em>PVT</em>變化的自適應(yīng)電源電壓調(diào)整電路設(shè)計.pdf60

    抗<em>PVT</em>變化的自適應(yīng)電源電壓調(diào)整電路設(shè)計.pdfPVT變化的自適應(yīng)電源電壓調(diào)整電路設(shè)計.pdf(60頁)

    隨著CMOS工藝和集成電路設(shè)計的發(fā)展,集成電路的尺寸不斷縮小,PVTPROCESS,VOLTAGETEMPERATURE波動對集成電路的影響也越來越嚴(yán)重。而集成電路進(jìn)入深亞微米后,晶體管的漏電日益嚴(yán)重,加上廣泛使用的便攜式電子設(shè)備絕大部分時間處于待機(jī)狀態(tài)。因此,研究抗PVT波動的靜...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: vaidurya / 發(fā)布時間:2024-03-09 / 5人氣

  • <em>PVT</em>法生長SiC單晶的晶型控制.pdf53

    <em>PVT</em>法生長SiC單晶的晶型控制.pdf PVT法生長SiC單晶的晶型控制.pdf(53頁)

    、矽留匆呈Z塊霉碩士學(xué)位論文P、丌法生長SIC單晶的晶型控制劉博學(xué)科名稱材料物理與化學(xué)指導(dǎo)教師陳治明教授申請日期2QQZ笙3且.摘要論文題目學(xué)科專業(yè)研究生指導(dǎo)教師PVT法生長SIC單晶的晶型控制茹料誓理與化學(xué)簽名盛蔓劉博簽名支IF曙陳治明教授簽名逝摯陟摘要用物理氣...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 明燈三千 / 發(fā)布時間:2024-03-09 / 14人氣

  • GPS接收系統(tǒng)<em>PVT</em>信息處理技術(shù)的研究與仿真.pdf70

    GPS接收系統(tǒng)<em>PVT</em>信息處理技術(shù)的研究與仿真.pdf GPS接收系統(tǒng)PVT信息處理技術(shù)的研究與仿真.pdf(70頁)

    沈陽理工大學(xué)碩士學(xué)位論文GPS接收系統(tǒng)PVT信息處理技術(shù)的研究與仿真姓名吳偉申請學(xué)位級別碩士專業(yè)計算機(jī)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)指導(dǎo)教師張德育20100301沈陽理工大學(xué)碩士學(xué)位論文ABSTRACTINRECENTDECADESGPSNAVIGATIONPOSITIONINGTECHNOLOGYINBOTHMILITARYCIVILIANDEVELOPMENTHASBEEN...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 你的貓跑掉了 / 發(fā)布時間:2024-03-06 / 2人氣

  • <em>pvt</em>參數(shù)計算和油氣藏壓力節(jié)點分析方法研究11

    <em>pvt</em>參數(shù)計算和油氣藏壓力節(jié)點分析方法研究 pvt參數(shù)計算和油氣藏壓力節(jié)點分析方法研究(11頁)

    1PVTPVT參數(shù)計算和油氣藏壓力節(jié)點分析方法研究參數(shù)計算和油氣藏壓力節(jié)點分析方法研究內(nèi)容主要包括11地層溫度條件下,不同壓力下的多級脫氣地層溫度條件下,不同壓力下的多級脫氣PVTPVT參數(shù)計算。參數(shù)計算。22自噴氣井壓力節(jié)點計算。自噴氣井壓力節(jié)點計算。33自噴油井...

    下載價格:6 賞幣 / 發(fā)布人: 畢業(yè)設(shè)計 / 發(fā)布時間:2024-03-15 / 10人氣

  • <em>PVT</em>法生長4H-SiC單晶工藝的初步探索.pdf50

    <em>PVT</em>法生長4H-SiC單晶工藝的初步探索.pdf PVT法生長4H-SiC單晶工藝的初步探索.pdf(50頁)

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    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 酒胃 / 發(fā)布時間:2024-03-06 / 2人氣

  • 儲層流體包裹體低溫原位分析方法及<em>PVT</em>模擬.pdf88

    儲層流體包裹體低溫原位分析方法及<em>PVT</em>模擬.pdf 儲層流體包裹體低溫原位分析方法及PVT模擬.pdf(88頁)

    中圖分類號TEL21寸閡石油六學(xué)單位代碼10425學(xué)號S07010142碩士學(xué)位論文CHINAUNIVERSITYOFPETROLEUMMASTERDEGREETHESIS儲層流體包裹體低溫原位分析方法及PVT模擬”’‘J‘?!灰籒一一LILUIAINCLUSIOASILLRESELVOIRSMETHODOFCRYANALYSISANDPVTSIMULATION學(xué)科專業(yè)礦產(chǎn)...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 人的創(chuàng)造 / 發(fā)布時間:2024-03-06 / 5人氣

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