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  • 丙烯的<em>pvt</em>狀態(tài)分析7
  • β晶型iPP的<em>PVT</em>性能研究.pdf59

    β晶型iPP的<em>PVT</em>性能研究.pdf β晶型iPP的PVT性能研究.pdf(59頁)

    等規(guī)聚丙烯ISOTACTICPOLYPROPYLENE,IPP是一種典型的多晶質(zhì)半結(jié)晶高聚物,擁有著優(yōu)異的綜合性能和高性價(jià)比等優(yōu)勢(shì),因而在高分子成型加工領(lǐng)域得到了十分廣泛的應(yīng)用。Α晶型聚丙烯ΑIPP和Β晶型聚丙烯ΒIPP在IPP包括的晶型晶體中最為常見。ΒIPP相對(duì)于ΑIPP具有更高的...

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  • ZnO晶體<em>PVT</em>生長工藝研究.pdf52

    ZnO晶體<em>PVT</em>生長工藝研究.pdf ZnO晶體PVT生長工藝研究.pdf(52頁)

    在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域ZNO是繼SIC和GAN之后又一種極具潛力的光電子材料。這種化合物半導(dǎo)體在室溫下禁帶寬度為337EV其更高的自由激子結(jié)合能可達(dá)60MEV并且發(fā)光波長比GAN的藍(lán)光波長還要短。隨著新型光電材料產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展人們需要更多的應(yīng)用于藍(lán)紫外激光器、探測(cè)器、抗輻...

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  • 水冷型<em>PVT</em>圍護(hù)結(jié)構(gòu)傳熱特性研究.pdf77

    水冷型<em>PVT</em>圍護(hù)結(jié)構(gòu)傳熱特性研究.pdf 水冷型PVT圍護(hù)結(jié)構(gòu)傳熱特性研究.pdf(77頁)

    太陽能建筑一體化技術(shù)以其較高的熱回收、審美優(yōu)勢(shì)和快速的經(jīng)濟(jì)回報(bào)等優(yōu)勢(shì)具有良好的應(yīng)用前景。而水冷型BIPVT系統(tǒng)以其較高的綜合熱效率具有明顯的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用前景。從現(xiàn)有研究成果看,在假設(shè)換熱管流量分布均勻的前提下,一維傳熱模型能保證計(jì)算精度要求,但對(duì)于PVT組...

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  • SRAM <em>PVT</em>補(bǔ)償方法研究及電路實(shí)現(xiàn).pdf80

    SRAM <em>PVT</em>補(bǔ)償方法研究及電路實(shí)現(xiàn).pdf SRAM PVT補(bǔ)償方法研究及電路實(shí)現(xiàn).pdf(80頁)

    隨著集成電路工藝尺寸向著超深亞微米級(jí)甚至納米級(jí)的進(jìn)一步縮小,芯片單位面積上的功耗密度不斷上升,這使功耗成為集成電路設(shè)計(jì)中必須考慮的關(guān)鍵問題。亞閾值設(shè)計(jì)通過降低系統(tǒng)的電源電壓至亞閾值區(qū)域有效地降低系統(tǒng)的功耗。然而,在亞閾值區(qū)域的MOS晶體管呈現(xiàn)出與其在...

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  • <em>PVT</em>法生長SiC單晶中V摻雜行為研究.pdf61

    <em>PVT</em>法生長SiC單晶中V摻雜行為研究.pdf PVT法生長SiC單晶中V摻雜行為研究.pdf(61頁)

    半絕緣碳化硅單晶SISIC是非常有吸引力的微波大功率電子器件襯底材料。大部分SISIC材料由物理氣相傳輸PVT工藝生長,該工藝包括碳化硅粉的升華,升華產(chǎn)物的輸運(yùn)和結(jié)晶三個(gè)過程。有兩種SISIC材料,其一為高純SISIC,稱為HPSISIC,其二為摻釩SISIC。本文研究內(nèi)容限于PVT...

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  • 制冷工質(zhì)<em>PVT</em>性質(zhì)的實(shí)驗(yàn)和理論研究.pdf112

    制冷工質(zhì)<em>PVT</em>性質(zhì)的實(shí)驗(yàn)和理論研究.pdf 制冷工質(zhì)PVT性質(zhì)的實(shí)驗(yàn)和理論研究.pdf(112頁)

    該文主要研制了一套高精度的PVT性質(zhì)測(cè)試系統(tǒng)并以此用實(shí)驗(yàn)的方法研究了一種新工質(zhì)HFC227EA的PVT性質(zhì)結(jié)合理論分析推算了HFC227EA的飽和氣液焓、熵在理論上拓展了對(duì)比態(tài)理論提出了通用對(duì)比態(tài)蒸氣壓方程和飽和液體密度方程并對(duì)HFCS二元混合工質(zhì)氣液平衡態(tài)進(jìn)行了研究研制...

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  • <em>PVT</em>法生長大尺寸SiC晶體的數(shù)值模擬.pdf83

    <em>PVT</em>法生長大尺寸SiC晶體的數(shù)值模擬.pdf PVT法生長大尺寸SiC晶體的數(shù)值模擬.pdf(83頁)

    碳化硅是寬帶隙半導(dǎo)體材料的典型代表,是制造高電壓,高溫度,高電流密度等極端條件下使用的器件的優(yōu)良材料。PVT法是目前廣泛使用的單晶生長方法。生長過程中包括復(fù)雜的物理化學(xué)變化,很難精確控制系統(tǒng)的熱場(chǎng)。因此,要準(zhǔn)確了解生長系統(tǒng)中的溫度場(chǎng)來有效控制碳化硅晶...

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  • <em>PVT</em>法生長6H-SiC單晶工藝的初步探索.pdf47

    <em>PVT</em>法生長6H-SiC單晶工藝的初步探索.pdf PVT法生長6H-SiC單晶工藝的初步探索.pdf(47頁)

    矽甥FFZK事碩士學(xué)位論文PVT法生長6HSIC單晶工藝的初步探索題目和副題學(xué)科名稱學(xué)科門類指導(dǎo)教師申請(qǐng)日期譚長興作者姓名材料物理與化學(xué)工學(xué)陳治明20063叭1一刪0一哪0一㈣4一M4一洲3一3一眥Y一摘要PVT法生長6HSIC單晶工藝的初步探索學(xué)科材料物理與化學(xué)研究生譚長興導(dǎo)師...

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  • 聚合物<em>PVT</em>測(cè)試裝置的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng).pdf69

    聚合物<em>PVT</em>測(cè)試裝置的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng).pdf 聚合物PVT測(cè)試裝置的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng).pdf(69頁)

    北京化工大學(xué)碩士學(xué)位論文聚合物PVT測(cè)試裝置的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)姓名舒暉翔申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別碩士專業(yè)機(jī)械電子工程指導(dǎo)教師何雪濤20080530北京化工大學(xué)碩士學(xué)位論文聚合物材料在SPENCER狀態(tài)方程和TAIT方程中的參數(shù),從而可將試驗(yàn)成果建立數(shù)據(jù)庫,以指導(dǎo)MOLDNOW/MOLD等CAE軟件...

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  • 基于注塑裝備的聚合物<em>PVT</em>關(guān)系測(cè)控技術(shù)的研究.pdf159

    基于注塑裝備的聚合物<em>PVT</em>關(guān)系測(cè)控技術(shù)的研究.pdf 基于注塑裝備的聚合物PVT關(guān)系測(cè)控技術(shù)的研究.pdf(159頁)

    聚合物的PVT壓力比容溫度關(guān)系是進(jìn)行制品注塑成型流動(dòng)分析、注塑成型制品模具設(shè)計(jì)和注塑成型過程控制及工藝分析的主要依據(jù),其在聚合物加工成型領(lǐng)域尤其是精密注塑成型領(lǐng)域的作用日趨重要。本文首先研制了聚合物PVT關(guān)系在線測(cè)試實(shí)驗(yàn)設(shè)備,提出了一種基于注塑裝備的聚...

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  • <em>PVT</em>法生長SiC晶體的熱系統(tǒng)分析.pdf120

    <em>PVT</em>法生長SiC晶體的熱系統(tǒng)分析.pdf PVT法生長SiC晶體的熱系統(tǒng)分析.pdf(120頁)

    西安理工大學(xué)博士學(xué)位論文PVT法生長SIC晶體的熱系統(tǒng)分析姓名張群社申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別博士專業(yè)微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師陳治明20071001MECHANISMOFHEATTRANSPORTOFSICGROWTHBYP、廠RMAJORMOCROELECTRONICSANDSOLIDSTATEELECTROCANDIDATEZHANGQUNSHESIGNATURESUPERVISOR...

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  • <em>PVT</em>偏差容忍電路的快速自適應(yīng)頻率系統(tǒng)設(shè)計(jì).pdf82

    <em>PVT</em>偏差容忍電路的快速自適應(yīng)頻率系統(tǒng)設(shè)計(jì).pdf PVT偏差容忍電路的快速自適應(yīng)頻率系統(tǒng)設(shè)計(jì).pdf(82頁)

    隨著集成電路和移動(dòng)終端的迅猛發(fā)展,人們對(duì)消費(fèi)類電子產(chǎn)品性能的要求越來越高。然而,由于工藝、電壓和溫度PROCESS、VOLTAGETEMPERATURE,PVT等偏差因素的影響,數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)通常為芯片預(yù)留較大的時(shí)序余量,來保證芯片在最壞情況下也能正常工作,但最壞情況時(shí)極...

    下載價(jià)格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 一生隨性 / 發(fā)布時(shí)間:2024-03-05 / 6人氣

  • ZnO晶體<em>PVT</em>法生長熱動(dòng)力學(xué)分析.pdf62

    ZnO晶體<em>PVT</em>法生長熱動(dòng)力學(xué)分析.pdf ZnO晶體PVT法生長熱動(dòng)力學(xué)分析.pdf(62頁)

    在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域中繼GAN和SIC之后的研究熱點(diǎn)是一種在藍(lán)光、紫外、近紫外波段的光電子器件極具潛力的光電子材料ZNO。它是一種集半導(dǎo)體、發(fā)光、壓電、電光、閃爍等多種功能為一體的晶體它有著比GAN高兩倍的激子結(jié)合能60MEV有著良好的抗輻射性能可以工作在太空或核應(yīng)...

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  • 抗<em>PVT</em>變化的自適應(yīng)電源電壓調(diào)整電路設(shè)計(jì).pdf60

    抗<em>PVT</em>變化的自適應(yīng)電源電壓調(diào)整電路設(shè)計(jì).pdfPVT變化的自適應(yīng)電源電壓調(diào)整電路設(shè)計(jì).pdf(60頁)

    隨著CMOS工藝和集成電路設(shè)計(jì)的發(fā)展,集成電路的尺寸不斷縮小,PVTPROCESS,VOLTAGETEMPERATURE波動(dòng)對(duì)集成電路的影響也越來越嚴(yán)重。而集成電路進(jìn)入深亞微米后,晶體管的漏電日益嚴(yán)重,加上廣泛使用的便攜式電子設(shè)備絕大部分時(shí)間處于待機(jī)狀態(tài)。因此,研究抗PVT波動(dòng)的靜...

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  • <em>PVT</em>法生長SiC單晶的晶型控制.pdf53

    <em>PVT</em>法生長SiC單晶的晶型控制.pdf PVT法生長SiC單晶的晶型控制.pdf(53頁)

    、矽留匆呈Z塊霉碩士學(xué)位論文P、丌法生長SIC單晶的晶型控制劉博學(xué)科名稱材料物理與化學(xué)指導(dǎo)教師陳治明教授申請(qǐng)日期2QQZ笙3且.摘要論文題目學(xué)科專業(yè)研究生指導(dǎo)教師PVT法生長SIC單晶的晶型控制茹料誓理與化學(xué)簽名盛蔓劉博簽名支IF曙陳治明教授簽名逝摯陟摘要用物理氣...

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  • GPS接收系統(tǒng)<em>PVT</em>信息處理技術(shù)的研究與仿真.pdf70

    GPS接收系統(tǒng)<em>PVT</em>信息處理技術(shù)的研究與仿真.pdf GPS接收系統(tǒng)PVT信息處理技術(shù)的研究與仿真.pdf(70頁)

    沈陽理工大學(xué)碩士學(xué)位論文GPS接收系統(tǒng)PVT信息處理技術(shù)的研究與仿真姓名吳偉申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別碩士專業(yè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)指導(dǎo)教師張德育20100301沈陽理工大學(xué)碩士學(xué)位論文ABSTRACTINRECENTDECADESGPSNAVIGATIONPOSITIONINGTECHNOLOGYINBOTHMILITARYCIVILIANDEVELOPMENTHASBEEN...

    下載價(jià)格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 你的貓跑掉了 / 發(fā)布時(shí)間:2024-03-06 / 2人氣

  • <em>pvt</em>參數(shù)計(jì)算和油氣藏壓力節(jié)點(diǎn)分析方法研究11

    <em>pvt</em>參數(shù)計(jì)算和油氣藏壓力節(jié)點(diǎn)分析方法研究 pvt參數(shù)計(jì)算和油氣藏壓力節(jié)點(diǎn)分析方法研究(11頁)

    1PVTPVT參數(shù)計(jì)算和油氣藏壓力節(jié)點(diǎn)分析方法研究參數(shù)計(jì)算和油氣藏壓力節(jié)點(diǎn)分析方法研究內(nèi)容主要包括11地層溫度條件下,不同壓力下的多級(jí)脫氣地層溫度條件下,不同壓力下的多級(jí)脫氣PVTPVT參數(shù)計(jì)算。參數(shù)計(jì)算。22自噴氣井壓力節(jié)點(diǎn)計(jì)算。自噴氣井壓力節(jié)點(diǎn)計(jì)算。33自噴油井...

    下載價(jià)格:6 賞幣 / 發(fā)布人: 畢業(yè)設(shè)計(jì) / 發(fā)布時(shí)間:2024-03-15 / 10人氣

  • <em>PVT</em>法生長4H-SiC單晶工藝的初步探索.pdf50

    <em>PVT</em>法生長4H-SiC單晶工藝的初步探索.pdf PVT法生長4H-SiC單晶工藝的初步探索.pdf(50頁)

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  • 儲(chǔ)層流體包裹體低溫原位分析方法及<em>PVT</em>模擬.pdf88

    儲(chǔ)層流體包裹體低溫原位分析方法及<em>PVT</em>模擬.pdf 儲(chǔ)層流體包裹體低溫原位分析方法及PVT模擬.pdf(88頁)

    中圖分類號(hào)TEL21寸閡石油六學(xué)單位代碼10425學(xué)號(hào)S07010142碩士學(xué)位論文CHINAUNIVERSITYOFPETROLEUMMASTERDEGREETHESIS儲(chǔ)層流體包裹體低溫原位分析方法及PVT模擬”’‘J‘?!灰籒一一LILUIAINCLUSIOASILLRESELVOIRSMETHODOFCRYANALYSISANDPVTSIMULATION學(xué)科專業(yè)礦產(chǎn)...

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