SiN-,x-硬盤保護膜的制備及其性能表征.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文采用微波ECR等離子體增強非平衡磁控反應濺射法制備了SiNx薄膜,系統(tǒng)的研究了SiNx薄膜的結(jié)構(gòu)和性能。 利用傅立葉變換紅外吸收光譜和X射線光電子能譜分析了薄膜的結(jié)構(gòu)和組分;使用摩擦磨損儀測試了薄膜的摩擦學性能,并利用掃描電子顯微鏡觀察了薄膜的表面形貌。在實驗中,通過改變N2流量和Si靶功率來制備不同結(jié)構(gòu)和性能的SiNx薄膜,通過分析,得到如下結(jié)論: 1)N2流量對SiNX薄膜的結(jié)構(gòu)和性能有很大的影響。在N2流量很小

2、的時候,SiNx薄膜呈現(xiàn)富Si態(tài),薄膜硬度較低,薄膜中氧的含量相對較高;隨著N2流量的增加,薄膜中的SiNx含量逐漸增加,當N2流量為2sccm時,薄膜中的N/Si達到Si3N4的化學配比,所制備的SiNx薄膜均勻、致密,薄膜的硬度達到最大值,為24.35Gpa,摩擦系數(shù)為0.058。 2)靶功率的高低與薄膜的結(jié)構(gòu)和性能也有密切聯(lián)系。在硅靶功率較低(50w、150w)時,幾乎沒有出現(xiàn)Si-N鍵的伸縮振動峰,隨著硅靶功率的升高,在

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