半導(dǎo)體的慢正電子研究.pdf

1、　 本論文主要利用慢正電子束流測試技術(shù)研究半導(dǎo)體以及半導(dǎo)體多層膜近表面內(nèi)的缺陷信息。在研究過程中以慢正電子測試技術(shù)為主要手段，結(jié)合X射線衍射、深能級瞬態(tài)譜(DLTS)、壽命譜測試以及符合雙多普勒展寬等多種方法，研究經(jīng)過退火、電子輻照、γ光子輻照、以及He+離子注入的SiC的近表面缺陷的演變行為。并研究金屬半導(dǎo)體Al/GaSb，以及半導(dǎo)體多層膜GaN/SiC各層之間特別是界面處的缺陷信息，通過慢正電子測試技術(shù)和數(shù)據(jù)擬合程序VEPFIT

2、，研究經(jīng)過不同溫度、環(huán)境以及退火時(shí)間的n型6H-SiC內(nèi)的原生(as-grown)缺陷的演變行為。　　　　 利用單能慢正電子的多普勒展寬譜研究異質(zhì)結(jié)Al/GaSb隨不同退火溫度的演變行為，不同深度處S參數(shù)由VEPFIT程序利用三層模型(Al/Interface/GaSb)擬合得到。我們利用慢正電子技術(shù)，運(yùn)用VEPFIT,通過分析由實(shí)驗(yàn)所得到的S-E曲線來研究GaN/SiC的界面性質(zhì)。按照常規(guī)的方法進(jìn)行擬合，擬合結(jié)果和膜厚不能夠很