烏克蘭科技項(xiàng)目

1、烏克蘭科技項(xiàng)目烏克蘭科技項(xiàng)目.doc烏克蘭科技項(xiàng)目.doc烏克蘭科技項(xiàng)目一、歷屆“烏克蘭科技日”展覽項(xiàng)目1切爾諾維策國(guó)立大學(xué)1.1民用高效太陽(yáng)能電池和鋰電池研制出一種在日常生活用的、價(jià)格便宜的高效太陽(yáng)能電池，有6伏電壓（用作電離輻射劑量?jī)x的電源）、9伏電壓（用作電針診斷儀和車(chē)載小尺寸顯示器的電源）、16伏電壓（用作手提式電視機(jī)、筆記本電腦等的電源）幾種。使用這種太陽(yáng)能電池，可組合成用戶需要的太陽(yáng)能模塊，比現(xiàn)有國(guó)外同類(lèi)產(chǎn)品價(jià)格便宜。這種太

2、陽(yáng)能模塊的工作期限，在日常使用條件下為3050年。不同設(shè)計(jì)的太陽(yáng)能硅電池在連續(xù)工業(yè)生產(chǎn)中效率可以提高13%。還研制出鋰電源（電壓2伏）和鋰電池（電壓9伏），其性能與國(guó)外類(lèi)似產(chǎn)品相同，有些參數(shù)甚至超過(guò)國(guó)外類(lèi)似產(chǎn)品。還研制出串聯(lián)式裝置：太陽(yáng)能電池鋰電源，可作為工作電流小的電子設(shè)備（電子表、電影機(jī)、照相機(jī)等）的電源。1.2納米和薄膜的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)：理論、工藝、儀器借助于熱力蒸發(fā)和磁控管的噴涂等手段得到高質(zhì)量的薄膜的半導(dǎo)體、金屬和電介質(zhì)的現(xiàn)存技術(shù)

3、適用于某些A2B6的半導(dǎo)體材料和具有黃銅礦結(jié)構(gòu)（其中包括CulnSe2）的薄膜。作為可能采用的薄膜材料的例子導(dǎo)致產(chǎn)生以CulnSe2為基礎(chǔ)上的半導(dǎo)體固溶液，以碲化鎘和鋅為基礎(chǔ)的溶液，還有以鋅的硫?qū)倩衔餅榛A(chǔ)的溶液。這些半導(dǎo)體材料的特點(diǎn)是符合或高于世界同類(lèi)產(chǎn)品的水平。1.4半導(dǎo)體互化物Hg3In2Te6—光電子學(xué)、輻射劑量測(cè)定和纖維光學(xué)通信線的有前景的新材料研制出一種利用Бриджмен方法使Hg3In2Te6晶體生長(zhǎng)的技術(shù)。這種晶體對(duì)

4、電離輻射具有很高的參數(shù)穩(wěn)定性，對(duì)密度在51019厘米3以下的輸入雜質(zhì)具有電鈍性。這種晶體的主要電物理特性已經(jīng)研究出來(lái)，并在這些晶體的基礎(chǔ)上制造出光電儀器的實(shí)驗(yàn)室樣品。特別是明確了在Т=300К時(shí)，Hg3In2Te6的禁區(qū)寬度為0.74電子伏電子密度為51018–21019厘米3，載體的遷移率為0.020.04平方米Вс。這種材料對(duì)電離輻射具有很高的參數(shù)穩(wěn)定性，對(duì)密度在51019厘米3以下的輸入雜質(zhì)具有電鈍性。半導(dǎo)體化合物的天然樣品Hg3