版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶(hù)提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、模擬電路1、基爾霍夫定理的內(nèi)容是什么?(仕蘭微電子)2、平板電容公式(C=εS4πkd)。(未知)3、最基本的如三極管曲線(xiàn)特性。(未知)4、描述反饋電路的概念,列舉他們的應(yīng)用。(仕蘭微電子)5、負(fù)反饋種類(lèi)(電壓并聯(lián)反饋,電流串聯(lián)反饋,電壓串聯(lián)反饋和電流并聯(lián)反饋);負(fù)反饋的優(yōu)點(diǎn)(降低放大器的增益靈敏度,改變輸入電阻和輸出電阻,改善放大器的線(xiàn)性和非線(xiàn)性失真,有效地?cái)U(kuò)展放大器的通頻帶,自動(dòng)調(diào)節(jié)作用)(未知)6、放大電路的頻率補(bǔ)償?shù)哪康氖鞘裁矗?/p>
2、有哪些方法?(仕蘭微電子)7、頻率響應(yīng),如:怎么才算是穩(wěn)定的,如何改變頻響曲線(xiàn)的幾個(gè)方法。(未知)8、給出一個(gè)查分運(yùn)放,如何相位補(bǔ)償,并畫(huà)補(bǔ)償后的波特圖。(凹凸)9、基本放大電路種類(lèi)(電壓放大器,電流放大器,互導(dǎo)放大器和互阻放大器),優(yōu)缺點(diǎn),特別是廣泛采用差分結(jié)構(gòu)的原因。(未知)10、給出一差分電路,告訴其輸出電壓Y和Y求共模分量和差模分量。(未知)11、畫(huà)差放的兩個(gè)輸入管。(凹凸)12、畫(huà)出由運(yùn)放構(gòu)成加法、減法、微分、積分運(yùn)算的電路原
3、理圖。并畫(huà)出一個(gè)晶體管級(jí)的運(yùn)放電路。(仕蘭微電子)13、用運(yùn)算放大器組成一個(gè)10倍的放大器。(未知)14、給出一個(gè)簡(jiǎn)單電路,讓你分析輸出電壓的特性(就是個(gè)積分電路),并求輸出端某點(diǎn)的risefall時(shí)間。(Infineon筆試試題)15、電阻R和電容C串聯(lián),輸入電壓為R和C之間的電壓,輸出電壓分別為C上電壓和R上電壓,要求制這兩種電路輸入電壓的頻譜,判斷這兩種電路何為高通濾波器,何為低通濾波器。當(dāng)RCq還有clock的delay寫(xiě)出決定
4、最大時(shí)鐘的因素,同時(shí)給出表達(dá)式。(威盛VIA2003.11.06上海筆試試題)18、說(shuō)說(shuō)靜態(tài)、動(dòng)態(tài)時(shí)序模擬的優(yōu)缺點(diǎn)。(威盛VIA2003.11.06上海筆試試題)19、一個(gè)四級(jí)的Mux其中第二級(jí)信號(hào)為關(guān)鍵信號(hào)如何改善timing。(威盛VIA2003.11.06上海筆試試題)20、給出一個(gè)門(mén)級(jí)的圖,又給了各個(gè)門(mén)的傳輸延時(shí),問(wèn)關(guān)鍵路徑是什么,還問(wèn)給出輸入,使得輸出依賴(lài)于關(guān)鍵路徑。(未知)21、邏輯方面數(shù)字電路的卡諾圖化簡(jiǎn),時(shí)序(同步異步差
5、異),觸發(fā)器有幾種(區(qū)別,優(yōu)點(diǎn)),全加器等等。(未知)22、卡諾圖寫(xiě)出邏輯表達(dá)使。(威盛VIA2003.11.06上海筆試試題)23、化簡(jiǎn)F(ABCD)=m(1345101112131415)的和。(威盛)24、pleaseshowtheCMOSinverterschmaticlayoutitscrosssectionwithPwellprocess.Plotitstransfercurve(VoutVin)alsoexplainthe
6、operationregionofPMOSNMOSfeachsegmentofthetransfercurve(威盛筆試題circuitdesignbeijing03.11.09)25、TodesignaCMOSinvertwithbalancerisefalltimepleasedefinetherationofchannelwidthofPMOSNMOSexplain26、為什么一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的倒相器中P管的寬長(zhǎng)比要比N管的寬長(zhǎng)比大?(仕
7、蘭微電子)27、用mos管搭出一個(gè)二輸入與非門(mén)。(揚(yáng)智電子筆試)28、pleasedrawthetransistlevelschematicofacmos2inputgateexplainwhichinputhasfasterresponsefoutputrisingedge.(lessdelaytime)。(威盛筆試題circuitdesignbeijing03.11.09)29、畫(huà)出NOTNN的符號(hào),真值表,還有transistle
8、vel的電路。(Infineon筆試)30、畫(huà)出CMOS的圖,畫(huà)出towtoonemuxgate。(威盛VIA2003.11.06上海筆試試題)31、用一個(gè)二選一mux和一個(gè)inv實(shí)現(xiàn)異或。(飛利浦-大唐筆試)32、畫(huà)出Y=ABC的cmos電路圖。(科廣試題)33、用邏輯們和cmos電路實(shí)現(xiàn)abcd。(飛利浦-大唐筆試)34、畫(huà)出CMOS電路的晶體管級(jí)電路圖,實(shí)現(xiàn)Y=ABC(DE)。(仕蘭微電子)35、利用4選1實(shí)現(xiàn)F(xyz)=xzy
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶(hù)所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶(hù)上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶(hù)上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶(hù)因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 微電子學(xué)論文
- 集成電路和微電子學(xué)
- 微電子學(xué)考試題庫(kù)及答案
- 微電子學(xué)+1206024146+朱世林.pdf
- 微電子學(xué)技術(shù)發(fā)展的瓶頸和出路
- 蘇州大學(xué)微電子學(xué)概論考研精品課件
- 微電子學(xué)院學(xué)生干部述職
- 深紫外波段algan電光效應(yīng)調(diào)制-微電子學(xué)與固體電子學(xué)專(zhuān)業(yè)畢業(yè)論文
- 2019-2020浙江大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)考研招生目錄及經(jīng)驗(yàn)指導(dǎo)
- 2020西北工業(yè)大學(xué)080903微電子學(xué)與固體電子學(xué)考研參考書(shū)目及考試科目
- 零維ge和一維zno納米結(jié)構(gòu)與器件-微電子學(xué)與固體電子學(xué)專(zhuān)業(yè)畢業(yè)論文
- 2019-2020浙江大學(xué)電路與系統(tǒng)微電子學(xué)與固體電子學(xué)考研招生目錄及經(jīng)驗(yàn)指導(dǎo)
- 2020西安交通大學(xué)080903微電子學(xué)與固體電子學(xué)考研參考書(shū)目及考試科目
- 2019年遼寧大學(xué)考研專(zhuān)業(yè)課微電子學(xué)基礎(chǔ)考試大綱
- 2019年遼寧大學(xué)考研專(zhuān)業(yè)課微電子學(xué)基礎(chǔ)考試大綱
- 軟件需求工程-北京大學(xué)軟件與微電子學(xué)院
- 2019山東大學(xué)碩士復(fù)試細(xì)則之微電子學(xué)院
- 項(xiàng)目范圍管理-首頁(yè)-北京大學(xué)軟件與微電子學(xué)院
- 項(xiàng)目成本管理-首頁(yè)-北京大學(xué)軟件與微電子學(xué)院
- 項(xiàng)目整體管理-首頁(yè)-北京大學(xué)軟件與微電子學(xué)院
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論