2019哈爾濱工業(yè)大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)和集成電路工程碩士研究生復(fù)試指導(dǎo)

1、微電子學(xué)與固體電子學(xué)和集成電路工程碩士研究生招生復(fù)試指導(dǎo)根據(jù)教育部關(guān)于加強(qiáng)碩士研究生招生復(fù)試工作的指導(dǎo)意見(jiàn)及學(xué)校有關(guān)要求，微電子學(xué)與固體電子學(xué)和集成電路工程2018年碩士研究生招生復(fù)試指導(dǎo)確定如下。一、復(fù)試比例及主要內(nèi)容1、復(fù)試由筆試和面試兩部分組成，外國(guó)語(yǔ)聽(tīng)力考試在面試中進(jìn)行。復(fù)試的總成績(jī)?yōu)?80分，其中筆試200分，面試80分。2、復(fù)試筆試科目科目代碼：科目代碼：00122科目名稱科目名稱:微電子學(xué)與固體電子學(xué)和集成電路工程復(fù)試筆試

2、微電子學(xué)與固體電子學(xué)和集成電路工程復(fù)試筆試（1）電子技術(shù)，占100分。主要內(nèi)容：半導(dǎo)體二極管及其基本電路；半導(dǎo)體三極管及其放大電路基礎(chǔ)；場(chǎng)效應(yīng)放大電路；集成電路運(yùn)算放大器；反饋放大電路；信號(hào)的運(yùn)算與處理電路；信號(hào)的產(chǎn)生電路；直流穩(wěn)壓電源；邏輯門電路；組合邏輯電路的分析與設(shè)計(jì)；常用組合邏輯功能器件；觸發(fā)器；時(shí)序邏輯電路的分析和設(shè)計(jì)；常用時(shí)序邏輯功能器件。參考書目：1.《基礎(chǔ)電子技術(shù)》，蔡惟錚主編，高等教育出版社，2004年8月第1版。2.

3、《集成電子技術(shù)》，蔡惟錚主編，高等教育出版社，2004年7月第1版。（2）晶體管原理，占50分。主要內(nèi)容：pn結(jié)直流特性、空間電荷區(qū)和電容、pn結(jié)擊穿；雙極型晶體管的基本結(jié)構(gòu)和工作原理、直流特性、頻率特性、開(kāi)關(guān)特性和功率特性的物理基礎(chǔ)；場(chǎng)效應(yīng)晶體管（包括結(jié)型和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的基本結(jié)構(gòu)、工作原理、直流特性、頻率特性、開(kāi)關(guān)特性和功率特性；MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓、短溝道與窄溝道效應(yīng)以及擊穿特性。參考書目：1.《微電子器件基礎(chǔ)》蘭慕

4、杰等編電子工業(yè)出版社2013年版.2.《微電子技術(shù)基礎(chǔ)――雙極、場(chǎng)效應(yīng)晶體管原理》曹培棟編著，電子工業(yè)出版社，2001年第一版。3.《雙極型與場(chǎng)效應(yīng)晶體管》武世香編電子工業(yè)出版社1995年版（3）半導(dǎo)體集成電路，占50分。主要內(nèi)容：典型的集成電路制造工藝流程及原理（雙極工藝和MOS工藝）；集成電路中常用的器件結(jié)構(gòu)及其寄生效應(yīng)；雙極型邏輯集成電路（TTL及單管邏輯門）工作原理、靜態(tài)特性、瞬態(tài)特性及版圖設(shè)計(jì)；MOS邏輯集成電路（NMOS、C

5、MOS以及MOS動(dòng)態(tài)電路）工作原理、靜態(tài)特性、瞬態(tài)特性及版圖設(shè)計(jì)；各類MOS存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)及特性；模擬集成電路中常用單元電路的結(jié)構(gòu)、工作原理、性能及模擬集成電路版圖設(shè)計(jì)特點(diǎn)等。參考書目：《集成電路設(shè)計(jì)》，葉以正來(lái)逢昌編，清華大學(xué)出版社，2016年版。3、面試主要內(nèi)容。（1）從事科研工作的基礎(chǔ)與能力；（2）綜合分析與語(yǔ)言表達(dá)能力；（3）外語(yǔ)聽(tīng)力及口語(yǔ)；（4）大學(xué)學(xué)習(xí)情況及學(xué)習(xí)成績(jī)；（5）專業(yè)課以外其他知識(shí)技能的掌握情況；（6）特長(zhǎng)與興趣；（