微電子學(xué)與固體電子學(xué)畢業(yè)論文-過(guò)渡金屬氧化物阻變存儲(chǔ)器動(dòng)態(tài)特性的蒙特卡洛仿真

1、分類號(hào)：TN303；TN304.9密級(jí)：天津理工大學(xué)研究生學(xué)位論文天津理工大學(xué)研究生學(xué)位論文過(guò)渡金屬氧化物阻變存儲(chǔ)器動(dòng)態(tài)特性的過(guò)渡金屬氧化物阻變存儲(chǔ)器動(dòng)態(tài)特性的蒙特卡洛仿真蒙特卡洛仿真（申請(qǐng)碩士學(xué)位）（申請(qǐng)碩士學(xué)位）學(xué)科專業(yè)：微電子學(xué)與固體電子學(xué)研究方向：半導(dǎo)體材料與器件作者姓名：劉凱指導(dǎo)教師：張楷亮教授2013年1月交的學(xué)位論文是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作和取得的研究成果，除了文中特別加以標(biāo)注和致謝之處外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)

2、表或撰寫(xiě)過(guò)的研究成果，也不包含為獲得天津理工大學(xué)或其他教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書(shū)而使用過(guò)的材料。與我一同工作的同志對(duì)本研究所做的任何貢獻(xiàn)均已在論文中作了明確的說(shuō)明并表示了謝意。學(xué)位論文作者簽名：簽字日期：年月日學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書(shū)學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書(shū)本學(xué)位論文作者完全了解天津理工大學(xué)有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定。特授權(quán)天津理工大學(xué)可以將學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行檢索，并采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存、匯編，以供查閱和借