電力電子技術(shù)課后習(xí)題答案

1、目錄第1章電力電子器件?????????????????????????????????1第2章整流電路???????????????????????????????????4第3章直流斬波電路?????????????????????????????????20第4章交流電力控制電路和交交變頻電路????????????????????????26第5章逆變電路???????????????????????????????????31

2、第6章PWM控制技術(shù)?????????????????????????????????35第7章軟開(kāi)關(guān)技術(shù)??????????????????????????????????40第8章組合變流電路?????????????????????????????????422a)Im1329.35，Id10.2717Im189.48?4767.0I???b)Im2232.90Id20.5434Im2126.56?6741.0I???c)Im3=

3、2I=314Id3=Im3=78.5415.GTO和普通晶閘管同為PNPN結(jié)構(gòu)，為什么GTO能夠自關(guān)斷，而普通晶閘管不能？答：GTO和普通晶閘管同為PNPN結(jié)構(gòu)，由P1N1P2和N1P2N2構(gòu)成兩個(gè)晶體管V1、V2分別具有共基極電流增益和，由普通晶閘管的分析可得，=1是器件臨界導(dǎo)通的條件。＞1，兩個(gè)等1?2?1?2?1?2?效晶體管過(guò)飽和而導(dǎo)通；＜1，不能維持飽和導(dǎo)通而關(guān)斷。1?2?GTO之所以能夠自行關(guān)斷，而普通晶閘管不能，是因?yàn)镚T

4、O與普通晶閘管在設(shè)計(jì)和工藝方面有以下幾點(diǎn)不同：1)GTO在設(shè)計(jì)時(shí)較大，這樣晶體管V2控制靈敏，易于GTO關(guān)斷；2?2)GTO導(dǎo)通時(shí)的更接近于1，普通晶閘管1.15，而GTO則為1.05，1?2?1?2??1?2??GTO的飽和程度不深，接近于臨界飽和，這樣為門(mén)極控制關(guān)斷提供了有利條件；3)多元集成結(jié)構(gòu)使每個(gè)GTO元陰極面積很小，門(mén)極和陰極間的距離大為縮短，使得P2極區(qū)所謂的橫向電阻很小，從而使從門(mén)極抽出較大的電流成為可能。6.如何防止電

5、力MOSFET因靜電感應(yīng)應(yīng)起的損壞？答：電力MOSFET的柵極絕緣層很薄弱，容易被擊穿而損壞。MOSFET的輸入電容是低泄漏電容，當(dāng)柵極開(kāi)路時(shí)極易受靜電干擾而充上超過(guò)20的擊穿電壓，所以為防止MOSFET因靜電感應(yīng)而引起的損壞，應(yīng)?注意以下幾點(diǎn)：①一般在不用時(shí)將其三個(gè)電極短接；②裝配時(shí)人體、工作臺(tái)、電烙鐵必須接地，測(cè)試時(shí)所有儀器外殼必須接地；③電路中，柵、源極間常并聯(lián)齊納二極管以防止電壓過(guò)高④漏、源極間也要采取緩沖電路等措施吸收過(guò)電壓。

6、7.IGBT、GTR、GTO和電力MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路各有什么特點(diǎn)？答：IGBT驅(qū)動(dòng)電路的特點(diǎn)是：驅(qū)動(dòng)電路具有較小的輸出電阻，IGBT是電壓驅(qū)動(dòng)型器件，IGBT的驅(qū)動(dòng)多采用專(zhuān)用的混合集成驅(qū)動(dòng)器。GTR驅(qū)動(dòng)電路的特點(diǎn)是：驅(qū)動(dòng)電路提供的驅(qū)動(dòng)電流有足夠陡的前沿，并有一定的過(guò)沖，這樣可加速開(kāi)通過(guò)程，減小開(kāi)通損耗，關(guān)斷時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路能提供幅值足夠大的反向基極驅(qū)動(dòng)電流，并加反偏截止電壓，以加速關(guān)斷速度。GTO驅(qū)動(dòng)電路的特點(diǎn)是：GTO要求其驅(qū)動(dòng)電路提