2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁(yè)
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1、《第一章電力電子器件》練習(xí)題1.電力電子器件一般工作在________狀態(tài)。2.在通常情況下,電力電子器件功率損耗主要為________,而當(dāng)器件開關(guān)頻率較高時(shí),功率損耗主要為________。3.電力電子器件組成的系統(tǒng),一般由________、________、________三部分組成,由于電路中存在電壓和電流的過沖,往往需添加________。4.按內(nèi)部電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電的情況,電力電子器件可分為________、___

2、_____、________三類。5.電力二極管的工作特性可概括為________。6.電力二極管的主要類型有________、________、________。7.肖特基二極管的開關(guān)損耗________快恢復(fù)二極管的開關(guān)損耗。8.晶閘管的基本工作特性可概括為____正向有觸發(fā)則導(dǎo)通、反向截止____。9.對(duì)同一晶閘管,維持電流IH與擎住電流IL在數(shù)值大小上有IL________IH。10.晶閘管斷態(tài)不重復(fù)電壓UDRM與轉(zhuǎn)折電壓Ubo

3、數(shù)值大小上應(yīng)為,UDRM________Ubo。11.逆導(dǎo)晶閘管是將________與晶閘管________(如何連接)在同一管芯上的功率集成器件。12.GTO的________結(jié)構(gòu)是為了便于實(shí)現(xiàn)門極控制關(guān)斷而設(shè)計(jì)的。13.功率晶體管GTR從高電壓小電流向低電壓大電流躍變的現(xiàn)象稱為________。14.MOSFET的漏極伏安特性中的三個(gè)區(qū)域與GTR共發(fā)射極接法時(shí)的輸出特性中的三個(gè)區(qū)域有對(duì)應(yīng)關(guān)系,其中前者的截止區(qū)對(duì)應(yīng)后者的_______

4、_、前者的飽和區(qū)對(duì)應(yīng)后者的________、前者的非飽和區(qū)對(duì)應(yīng)后者的________。15.電力MOSFET的通態(tài)電阻具有________溫度系數(shù)。16.IGBT的開啟電壓UGE(th)隨溫度升高而________,開關(guān)速度________電力MOSFET。17.功率集成電路PIC分為二大類,一類是高壓集成電路,另一類是________。18.按照驅(qū)動(dòng)電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的性質(zhì),可將電力電子器件分為________和_

5、_______兩類。19.為了利于功率晶體管的關(guān)斷,驅(qū)動(dòng)電流后沿應(yīng)是________。20.GTR的驅(qū)動(dòng)電路中抗飽和電路的主要作用是________。21.抑制過電壓的方法之一是用________吸收可能產(chǎn)生過電壓的能量,并用電阻將其消耗。在過電流保護(hù)中,快速熔斷器的全保護(hù)適用于________功率裝置的保護(hù)。22.功率晶體管緩沖保護(hù)電路中的二極管要求采用________型二極管,以便與功率晶體管的開關(guān)時(shí)間相配合。23.晶閘管串聯(lián)時(shí),給

6、每只管子并聯(lián)相同阻值的電阻R是________措施,給每只管子并聯(lián)RC支路是________措施,當(dāng)需同時(shí)串聯(lián)和并聯(lián)晶聯(lián)續(xù)流二極管的電路中,晶閘管控制角α的最大移相范圍是________,其承受的最大正反向電壓均為________,續(xù)流二極管承受的最大反向電壓為________(設(shè)U2為相電壓有效值)。3.單相橋式全控整流電路中,帶純電阻負(fù)載時(shí),α角移相范圍為________,單個(gè)晶閘管所承受的最大正向電壓和反向電壓分別為_______

7、_和________;帶阻感負(fù)載時(shí),α角移相范圍為________,單個(gè)晶閘管所承受的最大正向電壓和反向電壓分別為________和________;帶反電動(dòng)勢(shì)負(fù)載時(shí),欲使電阻上的電流不出現(xiàn)斷續(xù)現(xiàn)象,可在主電路中直流輸出側(cè)串聯(lián)一個(gè)________。4.單相全控橋反電動(dòng)勢(shì)負(fù)載電路中,當(dāng)控制角α大于不導(dǎo)電角?時(shí),晶閘管的導(dǎo)通角?=________當(dāng)控制角?小于不導(dǎo)電角?時(shí),晶閘管的導(dǎo)通角?=________。5.從輸入輸出上看,單相橋式全控

8、整流電路的波形與________的波形基本相同,只是后者適用于________輸出電壓的場(chǎng)合。6.電阻性負(fù)載三相半波可控整流電路中,晶閘管所承受的最大正向電壓UFm等于________,晶閘管控制角α的最大移相范圍是________,使負(fù)載電流連續(xù)的條件為________(U2為相電壓有效值)。7.三相半波可控整流電路中的三個(gè)晶閘管的觸發(fā)脈沖相位按相序依次互差________,當(dāng)它帶阻感負(fù)載時(shí),?的移相范圍為________。8.三相橋

9、式全控整流電路帶電阻負(fù)載工作中,共陰極組中處于通態(tài)的晶閘管對(duì)應(yīng)的是________的相電壓,而共陽(yáng)極組中處于導(dǎo)通的晶閘管對(duì)應(yīng)的是________的相電壓;這種電路?角的移相范圍是________,ud波形連續(xù)得條件是________。9.對(duì)于三相半波可控整流電路,換相重迭角的影響,將使用輸出電壓平均值________。10.電容濾波單相不可控整流帶電阻負(fù)載電路中,空載時(shí),輸出電壓為________,隨負(fù)載加重Ud逐漸趨近于_______

10、_,通常設(shè)計(jì)時(shí),應(yīng)取RC≥________T,此時(shí)輸出電壓為Ud≈________U2(U2為相電壓有效值)。11.電容濾波三相不可控整流帶電阻負(fù)載電路中,電流id斷續(xù)和連續(xù)的臨界條件是________,電路中的二極管承受的最大反向電壓為________U2。12.實(shí)際工作中,整流電路輸出的電壓是周期性的非正弦函數(shù),當(dāng)?從0~90變化時(shí),整流輸出的電壓ud的諧波幅值隨?的增大而________,當(dāng)?從90~180變化時(shí),整流輸出的電壓u

11、d的諧波幅值隨?的增大而________。13.三相橋式全控整流電路帶阻感負(fù)載時(shí),設(shè)交流側(cè)電抗為零,直流電感L為足夠大。當(dāng)?=30時(shí),三相電流有效值與直流電流的關(guān)系為I=________Id,交流側(cè)電流中所含次諧波次數(shù)為________,其整流輸出電壓中所含的諧波次數(shù)為________。14.帶平衡電抗器的雙反星形可控整流電路適用于________的場(chǎng)合,當(dāng)它帶電感負(fù)載時(shí),移相范圍是________,帶電阻負(fù)載時(shí),移相范圍是______

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