電力電子技術(shù)試題

1、150電力電子技術(shù)試題填空電力電子技術(shù)試題填空0000002、電子技術(shù)包括__信息電子技術(shù)__和電力電子技術(shù)兩大分支，通常所說(shuō)的模擬電子技術(shù)和數(shù)字電子技術(shù)就屬于前者。0000001、電力變換通?？煞譃椋航涣髯冎绷鳌⒅绷髯冎绷?、直流變交流和交流變交流。0000002、為減少自身?yè)p耗，提高效率，電力電子器件一般都工作在___開(kāi)關(guān)__狀態(tài)。當(dāng)器件的工作頻率較高時(shí)，___開(kāi)關(guān)__損耗會(huì)成為主要的損耗。0000001、電力變換通常分為四大類(lèi)，即交

2、流變直流、直流變直流、直流變交流、交流變交流。0100004、過(guò)電壓產(chǎn)生的原因操作過(guò)電壓、雷擊過(guò)電壓，可采取RC過(guò)電壓抑制電路、壓敏電阻等措施進(jìn)行保護(hù)。0100002、請(qǐng)?jiān)诳崭駜?nèi)標(biāo)出下面元件的簡(jiǎn)稱(chēng)：電力晶體管GTR；可關(guān)斷晶閘管GTO；功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET；絕緣柵雙極型晶體管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的復(fù)合管。0100004、晶閘管對(duì)觸發(fā)脈沖的要求是觸發(fā)脈沖的寬度應(yīng)保證晶閘管可靠導(dǎo)通、觸發(fā)脈沖應(yīng)有足夠的幅度、觸發(fā)脈

3、沖應(yīng)不超過(guò)晶閘管門(mén)極的電壓、電流和功率定額和應(yīng)有良好的抗干擾性能、溫度穩(wěn)定性及與主電路的電氣隔離。（可作簡(jiǎn)答題）0100003、多個(gè)晶閘管相并聯(lián)時(shí)必須考慮均流的問(wèn)題，解決的方法是挑選特性參數(shù)盡量一致的器件和采用均流電抗器。0100004、抑制過(guò)電壓的方法之一是用電容吸收可能產(chǎn)生過(guò)電壓的能量，并用電阻將其消耗。0100001、型號(hào)為KP1008的晶閘管表示其額定電壓為800伏、額定有效電流為100安。0100003、在電力晶閘管電路中，常

4、用的過(guò)電壓保護(hù)有避雷器；RC過(guò)電壓抑制電路阻容吸收；硒堆；壓敏電阻等幾種。（寫(xiě)出2種即可）0100001、目前常用的具有自關(guān)斷能力的電力電子元件有GTR、GTO、MOSFET、IGBT幾種。0100003、普通晶閘管的圖形符號(hào)是，三個(gè)電極分別是陽(yáng)極A，陰極K和門(mén)極G晶閘管的導(dǎo)通條件是晶閘管承受正相陽(yáng)極電壓，并在門(mén)極施加觸發(fā)電流（脈沖）?；蛘?50通態(tài)電流下降到剛好能保持導(dǎo)通所必須的最小陽(yáng)極電流。0100001、普通晶閘管內(nèi)部有PN結(jié)，外

5、部有三個(gè)電極，分別是極極和極。1、兩個(gè)、陽(yáng)極A、陰極K、門(mén)極G。0100001、晶閘管在其陽(yáng)極與陰極之間加上電壓的同時(shí)，門(mén)極上加上電壓，晶閘管就導(dǎo)通。2、正向、觸發(fā)。0100001、晶閘管的工作狀態(tài)有正向狀態(tài)，正向狀態(tài)和反向狀態(tài)。3、阻斷、導(dǎo)通、阻斷。0100002、某半導(dǎo)體器件的型號(hào)為KP50KP50—7的，其中KPKP表示該器件的名稱(chēng)為，50表示，7表示。4、普通晶閘管、額定電流50A、額定電壓700V。0100001、只有當(dāng)陽(yáng)極電

6、流小于電流時(shí)，晶閘管才會(huì)由導(dǎo)通轉(zhuǎn)為截止。5、維持電流。0100003、在晶閘管兩端并聯(lián)的RC回路是用來(lái)防止損壞晶閘管的。15、（關(guān)斷）過(guò)電壓。0100002、GTOGTO的全稱(chēng)是，圖形符號(hào)為；GTRGTR的全稱(chēng)是，圖形符號(hào)為；PMOSFET的全稱(chēng)是，圖形符號(hào)為；IGBTIGBT的全稱(chēng)是，圖形符號(hào)為。33、門(mén)極可關(guān)斷晶閘管、大功率晶體管、功率場(chǎng)效應(yīng)管、絕緣柵雙極型晶體管。0100003、GTOGTO的關(guān)斷是靠門(mén)極加出現(xiàn)門(mén)極來(lái)實(shí)現(xiàn)的。33、