電力電子技術(shù)自測習(xí)題集

1、1第一章電力電子器件填空題：1.電力電子器件一般工作在開關(guān)狀態(tài)。2.在通常情況下，電力電子器件功率損耗主要為通態(tài)損耗，而當(dāng)器件開關(guān)頻率較高時(shí)，功率損耗主要為開關(guān)損耗。3.電力電子器件組成的系統(tǒng)，一般由控制電路、驅(qū)動(dòng)電路、主電路三部分組成，由于電路中存在電壓和電流的過沖，往往需添加檢測與保護(hù)電路。4.按內(nèi)部電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電的情況，電力電子器件可分為單極性、雙極性、復(fù)合型三類。5.電力二極管的工作特性可概括為單向?qū)щ娦浴?.電力

2、二極管的主要類型有整流二極管、快恢復(fù)二極管、肖特基二極管。7.肖特基二極管的開關(guān)損耗小于快恢復(fù)二極管的開關(guān)損耗。8.晶閘管的基本工作特性可概括為門極端正向觸發(fā)則導(dǎo)通、陽極與陰極端的強(qiáng)電壓反向則截止。9.對(duì)同一晶閘管，維持電流IH與擎住電流IL在數(shù)值大小上有IL大于IH。10.晶閘管斷態(tài)不重復(fù)電壓UDRM與轉(zhuǎn)折電壓Ubo數(shù)值大小上應(yīng)為UDRM小于Ubo。11.逆導(dǎo)晶閘管是將二極管與晶閘管反并聯(lián)（如何連接）在同一管芯上的功率集成器件。12.

3、GTO的多元集成結(jié)構(gòu)是為了便于實(shí)現(xiàn)門極控制關(guān)斷而設(shè)計(jì)的。13.功率晶體管GTR從高電壓小電流向低電壓大電流躍變的現(xiàn)象稱為擊穿。14.MOSFET的漏極伏安特性中的三個(gè)區(qū)域與GTR共發(fā)射極接法時(shí)的輸出特性中的三個(gè)區(qū)域有對(duì)應(yīng)關(guān)系，其中前者的截止區(qū)對(duì)應(yīng)后者的截止區(qū)、前者的飽和區(qū)對(duì)應(yīng)后者的放大區(qū)、前者的非飽和區(qū)對(duì)應(yīng)后者的飽和區(qū)。15.電力MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù)。16.IGBT的開啟電壓UGE（th）隨溫度升高而降低，開關(guān)速度低于電

4、力MOSFET。17.功率集成電路PIC分為二大類，一類是高壓集成電路，另一類是功率集成電路。18.按照驅(qū)動(dòng)電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的性質(zhì)，可將電力電子器件分為電流控制型和電壓控制型兩類。19.為了利于功率晶體管的關(guān)斷，驅(qū)動(dòng)電流后沿應(yīng)是緩慢衰減。20.GTR的驅(qū)動(dòng)電路中抗飽和電路的主要作用是加快關(guān)斷速度。21.抑制過電壓的方法之一是用RC電路吸收可能產(chǎn)生過電壓的能量，并用電阻將其消耗。在過電流保護(hù)中，快速熔斷器的全保護(hù)適用

5、于小功率裝置的保護(hù)。3維持晶閘管導(dǎo)通的條件是使晶閘管的電流大于能保持晶閘管導(dǎo)通的最小電流，即維持電流。要使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷，可利用外加電壓和外電路的作用使流過晶閘管的電流降到接近于零的某一數(shù)值以下，即降到維持電流以下，便可使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷。32.GTO和普通晶閘管同為PNPN結(jié)構(gòu)，為什么GTO能夠自關(guān)斷，而普通晶閘管不能？答：GTO和普通晶閘管同為PNPN結(jié)構(gòu)，由P1N1P2和N1P2N2構(gòu)成兩個(gè)晶體管V1、V2，分別具有共基極電

6、流增益和，由普通晶閘管的分析可得，=1是器1?2?1?2?件臨界導(dǎo)通的條件。＞1，兩個(gè)等效晶體管過飽和而導(dǎo)通；＜1，不能1?2?1?2?維持飽和導(dǎo)通而關(guān)斷。GTO之所以能夠自行關(guān)斷，而普通晶閘管不能，是因?yàn)镚TO與普通晶閘管在設(shè)計(jì)和工藝方面有以下幾點(diǎn)不同：1)GTO在設(shè)計(jì)時(shí)較大，這樣晶體管V2控制靈敏，易于GTO關(guān)斷；2?2)GTO導(dǎo)通時(shí)的更接近于1，普通晶閘管1.15，而GTO則為1?2?1?2??1.05，GTO的飽和程度不深，接近

7、于臨界飽和，這樣為門極控制關(guān)斷提供1?2??了有利條件；3)多元集成結(jié)構(gòu)使每個(gè)GTO元陰極面積很小，門極和陰極間的距離大為縮短，使得P2極區(qū)所謂的橫向電阻很小，從而使從門極抽出較大的電流成為可能。33.GTR的安全工作區(qū)是如何定義的？如題圖133所示，GTR帶電感性負(fù)載時(shí)，如果不接二極管VD會(huì)產(chǎn)生什么問題？有了二極管VD是否還要加緩沖電路呢？34.如何防止電力MOSFET因靜電感應(yīng)應(yīng)起的損壞？答：電力MOSFET的柵極絕緣層很薄弱，容易

8、被擊穿而損壞。MOSFET的輸入電容是低泄露電容，當(dāng)柵極開路時(shí)極易受靜電干擾而充上超過20V的擊穿電壓，所以為防止MOSFET因靜電感應(yīng)而引起的損壞，應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：①一般在不用時(shí)將其三個(gè)電極短接；②裝配時(shí)人體、工作臺(tái)、電烙鐵必須接地，測試時(shí)所有儀器外殼必須接地；③電路中，柵、源極間常并聯(lián)齊納二極管以防止電壓過高；④漏、源極間也要采取緩沖電路等措施吸收過電壓。35.晶閘管的觸發(fā)電路有哪些要求？36.GTO與GTR同為電流控制器件，前者的