ch04 存儲系統(tǒng)

1、1CH04CH04存儲系統(tǒng)存儲系統(tǒng)習題與思考題習題與思考題1存儲器的哪一部分用來存儲程序指令及像常數和查找表一類的固定不變的信息？哪一部分用來存儲經常改變的數據？解答：解答：只讀存儲器ROM；隨機存儲器RAM。2術語“非易失性存儲器”是什么意思？PROM和EPROM分別代表什么意思？解答：解答：“非易失性存儲器”是指當停電后信息會丟失；PROM可編程序的只讀存儲器PROM(ProgrammableROM)，EPROM可擦除的可編程的只讀

2、存儲器EPROM(ErasibleProgrammableROM)。3微型計算機中常用的存儲器有哪些？它們各有何特點？分別適用于哪些場合？解答：解答：雙極型半導體存儲器隨機存儲器(RAM)MOS存儲器（靜態(tài)、動態(tài)）主存儲器可編程只讀存儲器PROM可擦除可編程只讀存儲器EPROM，EEPROM只讀存儲器(ROM)掩膜型只讀存儲器MROM快擦型存儲器存儲器磁盤(軟盤、硬盤、盤組)存儲器輔助存儲器磁帶存儲器光盤存儲器緩沖存儲器4現代計算機中的

3、存儲器系統(tǒng)采用了哪三級分級結構，主要用于解決存儲器中存在的哪些問題？解答：解答：目前在計算機系統(tǒng)中通常采用三級存儲器結構，即使用高速緩沖存儲器、主存儲器和輔助存儲器，由這三者構成一個統(tǒng)一的存儲系統(tǒng)。從整體看，其速度接近高速緩存的速度，其容量接近輔存的容量，而位成本則接近廉價慢速的輔存平均價格。三級結構主要用于解決速度、容量和成本的問題。5試比較靜態(tài)RAM和動態(tài)RAM的優(yōu)缺點，并說明有何種方法可解決掉電時動態(tài)RAM中信息的保護。解答：解答

4、：靜態(tài)RAM存儲一位信息的單元電路可以用雙極型器件構成，也可用MOS器件構成。雙極型器件構成的電路存取速度快，但工藝復雜，集成度低，功耗大，一般較少使用這種電路，而采用MOS器件構成的電路。靜態(tài)RAM的單元電路通常是由6個MOS管子組成的雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器電路，可以用來存儲信息“0”或者“1”，只要不掉電，“0”或“1”狀態(tài)能一直保持，除非重新通過寫操作寫入新的數據。同樣對存儲器單元信息的讀出過程也是非破壞性的，讀出操作后，所保存的信息不變。

5、使用靜態(tài)RAM的優(yōu)點是訪問速度快，訪問周期達20~40ns。靜態(tài)RAM工作穩(wěn)定，不需要進行刷新，外部電路簡單，但基本存儲單元所包含的管子數目較多，且功耗也較大，它適合在小300001015y1400H~17FFH00001106y1800H~1BFFH00001117y1C00H~1FFFHD0A0A9WRRDMIOA10A15??????D0D3A0A9WE??????808821141ABCG2AG2BG1Y0Y7??????385

6、VD3D4???D7???CSD0D3A0A9WE??????21142CSD0D3A0A9WE??????21143CSD0D3A0A9WE??????21144CSD0D3A0A9WE??????21145CSD0D3A0A9WE??????21146CSD0D3A0A9WE??????21147CSD0D3A0A9WE??????21148CSA15A10A11A12A13A1410試畫出容量為12K8的ROM連接圖（CPU用80

7、88，EPROM用2716—2K8），并寫出各芯片的地址分配范圍。解答：解答：（方法同上，略）11在上題基礎上，若要求ROM地址區(qū)從1000H開始，硬件設計該如何修改？并寫出各芯片的地址分配范圍。若要求ROM地址區(qū)從C000H開始，硬件設計又該如何修改？并寫出各芯片的地址分配范圍。解答：解答：若ROM的地址區(qū)從1000H開始，則硬件設計時，將27161~27166的片選信號分別接至即可。CS27~yy若ROM的地址區(qū)從C000H開始，則