2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、該文研究了不同溫度的熱處理,中子輻照缺陷對(duì)微氮硅單晶的電學(xué)性能的影響,實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明在450-1050℃的溫度范圍內(nèi),中子輻照樣品通過(guò)2小時(shí)以上的熱處理可以明顯降低樣品的電阻率,輻照缺陷能夠顯著增加硅片載流子的濃度.該文通過(guò)傅立葉紅外轉(zhuǎn)變光譜對(duì)中子輻照微氮直拉硅單晶中的微缺陷的形成變化及其熱穩(wěn)定性進(jìn)行了研究.隨著熱處理溫度的提高,輻照缺陷由A中心逐漸轉(zhuǎn)變成VO<,2>和V<,2>O復(fù)合體,在進(jìn)一步的熱處理后,VO<,2>復(fù)合體繼續(xù)吸收氧原

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