單電子晶體管和MOS管的混合電路設(shè)計與仿真.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著集成電路向著高集成度，高速度和低功耗的方向發(fā)展，傳統(tǒng)的集成電路將會遇到問題，解決的途徑有兩種： (1)沿摩爾定律繼續(xù)發(fā)展，采用新技術(shù)進一步提高以CMOS為基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)的集成電路特性； (2)另辟蹊徑發(fā)展新原理納電子器件和電路。而單電子晶體管作為最具代表性的納電子器件，被認為是最有可能替代MOS管的新器件，逐步在國內(nèi)外掀起了單電子的研究熱。 本文結(jié)合當今國內(nèi)外對單電子電路的研究，提出了一種新型的模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)和數(shù)模轉(zhuǎn)換器 (

2、DAC) 電路，它們主要由單電子晶體管、MOS晶體管和電容組成。這種混合單電子/MOS ADC和DAC電路兼有單電子電路和MOS電路的優(yōu)點。利用單電子晶體管的SPICE宏觀模型參數(shù)進行單電子/MOS混合ADC和DAC電路的設(shè)計和仿真。使用H-SPICE仿真器對混合單電子/MOS 6位ADC和2位DAC電路進行了仿真。仿真結(jié)果表明提出的兩種電路可以在室溫下進行正常的模數(shù) (A/D) 和數(shù)模 (D/A) 轉(zhuǎn)換。這兩種混合單電子/MOS AD

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